[发明专利]CMOS比较器的前置放大器电路有效
申请号: | 201310379394.1 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN103441736A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 刘伟;魏廷存;李博;高武;郑然;胡永才 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/45 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 比较 前置放大器 电路 | ||
1.一种CMOS比较器的前置放大器电路,其特征在于包括NMOS晶体管MN1、NMOS晶体管MN2、NMOS晶体管MN0、PMOS晶体管MP1、PMOS晶体管MP2、开关S1、开关S2、开关S3、开关S4、存储电容C1和存储电容C2;NMOS晶体管MN1和NMOS晶体管MN2作为差分输入对管;PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2作为负载,开关S1和S2分别连接在PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2的栅-漏之间;失调存储电容C1和失调存储电容C2的一端分别连接到PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2的栅极,失调存储电容C1和失调存储电容C2的另一端连接到电源VDD上;NMOS晶体管MN1和NMOS晶体管MN2的栅极分别连接输入信号VINP和VINN,并通过开关S3和开关S4连接到共模电平VCM上;NMOS晶体管MN0作为尾电流源,NMOS晶体管的栅极连接偏置电压VB,NMOS晶体管漏极与NMOS晶体管MN1和NMOS晶体管MN2管的源极连接,NMOS晶体管源极接地。
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