[发明专利]晶片工作台及光刻系统

权利要求书

1.晶片工作台（8），在光刻系统中所述晶片工作台（8）在晶片加工过程中支撑所述晶片（1），所述晶片工作台（8）具有配备有节（7）的顶侧（2），所述节用于支撑所述晶片（1），其中，所述节具有高度，所述晶片工作台（8）包括位于所述晶片工作台的晶片承载部分（2）周围的周围沟槽，所述沟槽具有比所述节（7）的高度大的宽度，其中，所述晶片工作台的外缘包括圈，所述圈设置用于在由所述节（7）支撑所述晶片（1）时与所述晶片（1）保持非常小的垂直距离（9B）。

2.根据权利要求1所述的晶片工作台，其中，所述节（7）具有将所述晶片（1）和所述晶片工作台（8）的所述顶侧（2）之间的公称相互距离保持在0.1μm至10μm之间的高度。

3.根据权利要求1或2所述的晶片工作台，其中，所述圈大大地封闭所述晶片工作台（8）和所述节（7）支撑的晶片（1）之间的周围间隙（9B）。

4.根据权利要求1、2或3所述的晶片工作台，其中，所述非常小的垂直距离（9B）比所述节的高度小10到20倍。

5.根据前述任一项权利要求所述的晶片工作台，其中，所述晶片工作台（8）配备有多个周围存在的开口（10B）。

6.根据权利要求5所述的晶片工作台，其中，所述多个周围存在的开口（10B）包括在所述沟槽内。

7.根据权利要求1所述的晶片工作台，其中，所述节在所述晶片工作台（8）上均匀地散布。

8.根据权利要求1所述的晶片工作台，其中，所述晶片工作台（8）包括一个或多个存在的开口，所述开口被打开用于从所述晶片工作台（8）释放流体。

9.根据权利要求1所述的晶片工作台，适于在所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）之间包含静止液体层（3）。

10.包括根据权利要求1或2所述的晶片工作台的光刻系统。

11.根据权利要求10所述的系统，进一步包括用于在所述晶片工作台（8）的所述顶侧（2）上散布液体的散布装置。

12.根据权利要求10所述的光刻系统，进一步包括：由所述晶片工作台（8）的所述节（7）支撑的晶片（1），其中静止液体层（3）包括在所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）之间，所述静止液体层与所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）接触，其中，所述静止液体层（3）具有由所述节（7）的高度所限定的厚度。

13.根据权利要求10所述的光刻系统，其中，所述静止液体层（3）为水层。

14.根据权利要求10所述的光刻系统，适于将图像或图像图案投影到由所述晶片工作台（8）支撑的所述晶片（1）上。

15.根据权利要求10所述的光刻系统，适于借助于驱动的目标工作台或卡盘，相对于诸如所述光刻系统的带电粒子束柱的用于光刻的束源移动所述晶片（1），其中，所述晶片工作台（8）适于无紧固地包含，即在用于对所述晶片工作台（8）承载的所述晶片（1）进行处理的所述光刻系统中没有管道连接。