[发明专利]一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法

权利要求书

1.一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法，所述的矩形平面磁控溅射阴极包括中靶材压条(1)、中压条(2)、边靶材压条(3)、边压条(4)、背板(5)、冷却板(6)、阴极座(7)、支撑块(8)、磁轭（9）、中立柱（10）、中磁铁（11）、中磁靴（12）、边磁铁（13）、边磁靴（14）和靶材（15），其特征在于靶材经过两次安装，两次溅射，具体方法为：当靶材第一次安装后，经过溅射，刻蚀区域位于靶材的一侧；然后将靶材水平旋转180°再重新安装在阴极上，进行第二次溅射，两次的刻蚀区域恰好连接成一个较大的刻蚀区域，提高靶材的利用率。

2.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法，其特征在于所述的矩形平面磁控溅射阴极的阴极座为不导磁的不锈钢材料，阴极座内设有磁轭（9），磁轭（9）为高导磁材料并通过螺栓和阴极座7固定在一起，磁轭（9）上设有磁铁组件，所述的磁铁组件包括四列磁铁，中部两列为中磁铁，极性相同；两侧为边磁铁，极性相同，中磁铁和边磁铁极性相反；磁铁上部设有磁靴，磁铁组件顶部设有冷却板，冷却板顶部设有背板，背板上部设有靶材，所述的阴极座外部两侧设有截面为L形的屏蔽罩，屏蔽罩顶部设置于靶材上方，所述的阴极座（7）宽度大于两侧边磁铁的总跨度，靶材的总跨度大于边磁铁的总跨度。

3.如权利要求2所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法，其特征在于所述的阴极座的宽度大于两侧边磁铁的总跨度的1.5倍，靶材的总跨度大于边磁铁总跨度的1.5倍。

4.如权利要求2所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法，其特征在于所述的屏蔽罩屏蔽靶材上50%以上的区域。

5.如权利要求2所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法，其特征在于所述的冷却板（6）的材料为铜。

6.如权利要求2所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法，其特征在于所述的两中磁铁之间设有中立柱，两边磁铁与阴极座之间分别设有支撑块，冷却板的中间位置由中立柱(10)支撑，两侧分别由支撑块(8)和阴极座(7)支撑。

7.如权利要求2所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法，其特征在于所述的背板(5)上部安装中压条(2)和边压条(4)。

8.如权利要求2所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法，其特征在于所述的冷却板（6）、中压条(2)和边压条(4)、背板（5）、中立柱（10）之间通过螺栓固定在阴极座（7）上且通过螺栓的紧固力将密封材料压紧，支撑块（8）、背板（5）、冷却板（6）通过螺栓紧固在一起并把密封材料压紧，形成对冷却水通道的密封。