[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装结构有效
| 申请号： | 201310379716.2 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103426850A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 高国华;丁万春;郭飞;朱桂林 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 尺寸 封装 结构 | ||
1.一种晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，包括：
表面具有多个焊盘的芯片；
位于所述芯片及焊盘上的钝化层，所述钝化层具有露出焊盘的第一开口；
位于所述钝化层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层的上表面设有凹槽，所述凹槽下方设有露出焊盘的第二开口；
覆盖在所述凹槽及焊盘上的再布线，所述再布线的上表面低于所述第一绝缘层的上表面；
位于所述第一绝缘层及再布线上的第二绝缘层，所述第二绝缘层具有露出再布线的第三开口；
所述第三开口下方的再布线上的金属焊球。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：覆盖在所述凹槽及焊盘上、并位于所述再布线下方的金属种子层。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属种子层的材料为Ti、Al、Ni、Cu、Cr、Au中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述金属焊球与所述第三开口下方的再布线之间的凸点底部金属层，所述凸点底部金属层包括扩散阻挡金属层、及位于所述扩散阻挡金属层上的浸润金属层。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述扩散阻挡金属层的材料为Ni、Cu中的一种或多种，所述浸润金属层的材料为Sn、Au、Ag、Cu中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层为绝缘的光敏材料层。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述光敏材料层的材料为聚酰亚胺或光刻胶。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为绝缘的光敏材料层。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述光敏材料层的材料为聚酰亚胺或光刻胶。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述再布线的材料为Cu，或者，所述再布线为Ni层与SnAg合金层的叠层。
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