[发明专利]一种控温CVD炉及采用控温CVD炉可控制备单壁碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 201310379783.4 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103466594A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 赵廷凯;李铁虎;赵星 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 采用 可控 制备 单壁碳 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改进型的控温CVD炉，包括温度控制仪（1）、气体流量计（2）、石英舟（3）、电阻炉炉体（4）、石英管反应室（6）、气体洗瓶（7）和其热电偶（8）；其特征在于还包括一对电极板（5）；所述一对电极板设置在石英管反应室（6）的内部，且平行相对位于石英管反应室（6）的内壁上。
2.一种采用权利要求1所述的改进型的控温CVD炉控制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于步骤如下：
步骤1：调节电极板间距为1～10cm，直流电压小于等于200V；
步骤2：通入催化剂为小于等于总量10wt%的含有二茂铁、羰基铁、噻吩、钼酸铵及金属镍、镁、钴、铁一种或多种的混合物；碳源为甲烷、乙炔或乙烯的一种或者多种的混合物，其流量小于等于10-500mL/min；
步骤3：在氩气、氮气或氢气的气氛下进行反应，在反应容器中形成金属性和半导体型单壁碳纳米管。
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