[发明专利]全彩发光二极管模组的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310379858.9 申请日: 2013-08-28
公开(公告)号: CN103441101A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 薛斌;卢鹏志;谢海忠;于飞;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L21/768;G09G3/32
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 全彩 发光二极管 模组 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种全彩发光二极管模组的制备方法,包括以下步骤: 

步骤1:取一外延片; 

步骤2:在外延片上制备发光二极管阵列; 

步骤3:在制备有发光二极管阵列的外延片上进行减薄划裂,得到发光二极管单元; 

步骤4:取一基板,基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道,基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极,将电路导入基板的背面; 

步骤5:将每个发光二极管的电极与基板上对应的金属焊点连接,将发光二极管单元固定在基板上,并且使发光二极管单元中的生长衬底朝上; 

步骤6:利用激光剥离或化学腐蚀将发光二极管单元的生长衬底剥离,在剥离后的发光二极管单元的表面涂覆荧光粉; 

步骤7:将基板划裂切割开来,形成发光二极管模组,完成全彩发光二极管模组的制备。 

2.根据权利要求1所述的全彩发光二极管模组的制备方法,其中外延片的材料为氮化镓或砷化镓,厚度为10-1000微米。 

3.根据权利要求1所述的全彩发光二极管模组的制备方法,其中该发光二极管模组中的发光二极管的数量大于2。 

4.根据权利要求1所述的全彩发光二极管模组的制备方法,其中在发光二极管单元上涂覆的荧光粉按照输出颜色分为红色、绿色、黄色或橙色,或及其组合。 

5.根据权利要求1所述的全彩发光二极管模组的制备方法,其中在外延片上涂覆的荧光粉的荧光种类为红色、绿色或黄色,或及其组合。 

6.根据权利要求1所述的全彩发光二极管模组的制备方法,其中发光二极管模组中的每个发光二极管为单独控制或同时控制。 

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