[发明专利]二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备、用途有效

专利信息
申请号: 201310379968.5 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN103467712A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 李树岗;张清;邓平;李胜夏 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H01L51/46
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 牛山;陈少凌
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 二维 共轭 呋喃 半导体 聚合物 及其 制备 用途
【权利要求书】:

1.一种二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物,其特征在于,所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示:

(I),其中50>n>1。

2.一种如权利要求1所述的二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法,其特征在于,所述半导体聚合物的制备方法包含如下步骤:

步骤一,在以碳酸钾为催化剂、N,N-二甲基甲酰胺为溶剂的条件下,1,5-二羟基萘与溴代乙醛缩二乙醇反应生成化合物1;

步骤二,在以二氯甲烷为溶剂的条件下,化合物1与N-溴代丁二酰亚胺反应生成化合物2;

步骤三,在以多聚磷酸为催化剂、二氯甲烷为溶剂的条件下,化合物2发生闭环反应生成化合物3;

步骤四,在以Pd(PPh3)2Cl2为催化剂、甲苯为溶剂、N2氛围的条件下,化合物3与4,5-二癸基-2-三正丁基锡-噻吩反应生成化合物NDFT;

步骤五,化合物NDFT依次与正丁基锂、三甲基氯化锡反应生成化合物M1;

步骤六,化合物M1与化合物DTBT在Pd(dba)3为催化剂、P(o-tol)3为配体、无水甲苯为溶剂条件下,反应生成所述半导体聚合物。

3.根据权利要求2所述的二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法,其特征在于,步骤一中,所述1,5-二羟基萘与溴代乙醛缩二乙醇的摩尔比为1:2~1:4,反应温度为80~120℃。

4.根据权利要求2所述的二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法,其特征在于,步骤二中,所述化合物1与N-溴代丁二酰亚胺的摩尔比为1:2,反应温度为-30~0℃。

5.根据权利要求2所述的二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法,其特征在于,步骤三中,所述闭环反应温度为90~130℃。

6.根据权利要求2所述的二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法,其特征在于,步骤四中,所述化合物3与4,5-二癸基-2-三正丁基锡-噻吩的摩尔比为1:5,反应时间为36~72小时,反应温度为90~130℃。

7.根据权利要求2所述的二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法,其特征在于,步骤六中,所述化合物M1与化合物DTBT的摩尔比为1:1,反应时间为为12~48小时,反应温度为80~120℃。

8.一种如权利要求1所述的二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物与PC61BM共混作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。

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