[发明专利]一种用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法有效
申请号: | 201310380360.4 | 申请日: | 2013-08-28 |
公开(公告)号: | CN103488051A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 伊福廷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院高能物理研究所 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16;G03F7/20;B81C1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100049 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 liga 技术 光刻 胶膜 复合 结构 制备 方法 | ||
1.一种用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法,其特征在于,该方法采用金属丝网作为基片,并通过热压方法将PMMA光刻胶薄片粘接在该金属丝网上。
2.根据权利要求1所述的用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法,其特征在于,所述金属丝网采用的材料为不锈钢、钛或铜,并通过编织形成所要的金属丝网。
3.根据权利要求2所述的用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法,其特征在于,所述金属丝网的金属丝直径为5-100微米,间距为500-100目。
4.根据权利要求1所述的用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法,其特征在于,所述PMMA光刻胶薄片是选用不同厚度的PMMA光刻胶薄片,在热压条件下将该PMMA光刻胶薄片融化压制在金属丝网上。
5.根据权利要求1所述的用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法,其特征在于,所述热压温度在PMMA光刻胶的软化点附近,温度范围110-180℃。
6.根据权利要求1所述的用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法,其特征在于,所述热压压力选用重物和压力机提供,压强范围0.5-10公斤/平方厘米。
7.根据权利要求1所述的用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法,其特征在于,所述金属丝网作为电铸的导电材料。
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