[发明专利]一种偏晶向重掺单晶的拉制方法有效
| 申请号： | 201310381232.1 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103436953A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陈澄;张雪囡;张长旭;朱鹏浩;张磊;刘一波;李亚哲 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莉华 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 重掺单晶 拉制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种偏晶向重掺单晶的拉制方法，其特征在于：使用偏晶向籽晶拉制重掺单晶。
2.根据权利要求1所述的偏晶向重掺单晶的拉制方法，其特征在于：所述偏晶向籽晶的制备方法包括以下步骤，
（1）原料单晶的定位：选取所述原料单晶的头部，选取任意棱线，沿顺时针方向选取离棱线最近的<110>面作为主参考面；
（2）在所述原料单晶端面上，平行于所述主参考面的方向为X方向，垂直于所述主参考面的方向为Y方向；
（3）切割加工所述原料单晶，使所述主参考面偏离度小于10′，X方向偏离1°-4°，Y方向偏离度小于30′，切割加工后制成所述偏晶向籽晶。
3.根据权利要求1或2所述的偏晶向重掺单晶的拉制方法，其特征在于：所述重掺单晶为N型<111>单晶。
4.根据权利要求3所述的偏晶向重掺单晶的拉制方法，其特征在于：所述重掺单晶为4-6寸<111>重掺磷单晶。
5.根据权利要求3所述的偏晶向重掺单晶的拉制方法，其特征在于：所述重掺单晶为4-6寸<111>重掺砷单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司，未经天津市环欧半导体材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310381232.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
