[发明专利]一种低漏电高速锁相环电荷泵电路无效
申请号: | 201310381514.1 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103490618A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 刘雄 | 申请(专利权)人: | 苏州苏尔达信息科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 215200 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 漏电 高速 锁相环 电荷 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种电荷泵电路,尤其涉及一种低漏电高速锁相环电荷泵电路。
背景技术
锁相环指的是一种电路,由压控振荡器、除法器、频率相位比较器、电荷泵和环路滤波器等构成;通过形成一个相位的负反馈回路,来实现频率和相位锁定,可广泛运用到频率综合,倍频等应用中。
一般锁相环的结构如图1 所示,所述锁相环用的电荷泵有两个输入电流UP、 DN。当UP和DN均为0时,S1和S2均关闭,UP和输入信号DN均为0。当UP为高,DN为0时,S1导通,输入信号UP不再为0,对VCON的电容充电,使得输出VCON电压上升;当UP为0,DN为高时,S2导通,输入信号DN不再为0,对VCON的电容放电,使得VCON电压下降;当UP、DN均为高时,S1,S2导通, 输入信号UP等于输入信号DN,干净电流为0,输出VCON没有变化。其具体的实现可分为开关在上和开关在下两种做法,如图2和图3所示。图2为开关在上电荷泵结构,其中Mncsr ,Mpcsr管为电流源,Mswn, Mswp为开关管,实现S2和S1;图3为开关在下电荷泵结构,其中Mncsr ,Mpcsr管为电流源,Mswn, Mswp为开关管,实现S2和S1。
对开关在下的电荷泵,一种改进方式如图4所示,用一个倒相器代替原来单个 MOS管,这样在开关要被关断时,A点被拉到VAA,使得Mncsr管的源级为VAA, 栅极和源级之间的电压差为负值,这样的Mncsr的漏电流就是pA级,原来的开关在上的电荷泵(图2)和开关在下的电荷泵(图3)栅极和源级之间的电压差均为0,漏电流将是nA级。
但是,图4所示的电荷泵的一个缺点是,开关的速度比较慢,需要把A点的电荷全部冲放掉,而且对G点的干扰和噪声比较大,在输出电压比较低的时候,有逆向漏电的危险,从VAA到Minvp到A到Mnscr到VCON。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种没有你想导通危险的低漏电高速锁相环电荷泵电路。
为了解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:一种低漏电高速锁相环电荷泵电路,由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、电流源Mpcsr、Mncsr和开关管Mswn、Mswp构成,所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极,栅极连接输入信号UP,漏极连接第二MOS管的源极,第二MOS管的栅极与源极连接,漏极接地;所述第三MOS管的源极连接电压VAA,栅极连接漏极,漏极连接第四MOS管的源极,所述第四MOS管栅极连接DNB电流,漏极连接电流源Mncsr的源极,所述电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极,漏极接地;所述第五MOS管的源极连接其栅极,漏极接地;所述第六MOS管的源极连接电压VAA,栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极,所述电流源Mpcsr的源极连接电压VAA,漏极连接开关管Mswp的源极,栅极连接UPB电流,漏极连接开关管Mswn的源极,所述开关管Mswm栅极连接输入信号DN,漏极与电流源Mncsr的源极连接。
与现有技术相比,本发明的有益之处是:这种低漏电高速锁相环电荷泵电路采用开关在上的结构,没有你想导通的危险,提高电荷泵电路的安全系数。
附图说明:
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是锁相环结构示意图;
图2是开关在上电荷泵电路结构示意图;
图3是开关在下电荷泵电路结构示意图;
图4是改进后的开关在下电荷泵结构示意图;
图5是本发明一种低漏电高速锁相环电荷泵电路结构示意图。
图中:1、第一MOS管;2、第二MOS管;3、第三MOS管;4、第四MOS管;5、第五MOS管;6、第六MOS管。
具体实施方式:
下面结合附图及具体实施方式对本发明进行详细描述:
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