[发明专利]一种高速高精度源极跟随电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种源极跟随电路，尤其涉及一种高速高精度源极跟随电路。

背景技术

缓冲电路一般是指需要驱动大的负载的时候，往往用一个缓冲电路来驱动。该电路将输入信号的波形传递到输出上，并输出足够的电流来驱动输出点的电容和电阻负载。衡量缓冲的性能指标主要有带宽、线性度、低频电压增益，输出电压和输入电压越接近越好，期望增益为1。而源极跟随电路已被广泛的运用到缓冲中。

如附图1所示一种现有的源极跟随电路，其主要缺点是，低频增益为0.8-0.9左右，对高精度的缓冲不适用，输入到输出有直流电压降，线性度比较差，并且依赖于输入电压和电压空间。

为了解决直流压降的问题，可以使用两级源级跟随电路如附图2和附图3所示，但是这种情况下的低频增益为两级的低频增益的乘积，只有0.7左右。

当工艺提供两种不同的阈值电压的MOS管时，可以使用附图4所示电路提高增益。M1为阈值电压较高的MOS管，M2为阈值电压较低的MOS管。M1和M2的阈值电压差为M1的源漏级电压。由于M1，M2的阈值电压差为基本不随输入电压变化，M1的源漏级电压也基本不随输入电压变化，导致M1管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大。主要缺点是工艺需要两种不同的阈值电压，且这种工艺比较昂贵。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够使低频电压增益变大的高速高精度源极跟随电路。

为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种高速高精度源极跟随电路，包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端。

优选的，所述第一PMOS源极上并联有输出电压VOUT。

与现有技术相比，本发明的有益之处是：这种高速高精度源极跟随电路使PMOS管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。

附图说明：

下面结合附图对本发明进一步说明。

图1是已有的源级跟随电路结构示意图；

图2、图3是已有的两级源级跟随电路结构示意图；

图4是采用两种阈值电压的源级跟随电路结构示意图；

图5是本发明一种高速高精度源极跟随电路结构示意图。

图中：1、第一PMOS管；2、第二PMOS管。

具体实施方式：

下面结合附图及具体实施方式对本发明进行详细描述：

图5所示一种高速高精度源极跟随电路，包括第一PMOS管1和第二PMOS管2，所述第一PMOS管1的源极连接直流电源VAA，且源极上还并联有输出电压VOUT，所述第一PMOS管1栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端。

这种高速高精度源极跟随电路使第一PMOS管1的源漏级电压差约为第一PMOS管1的阈值电压加上第二PMOS管2的阈值电压，基本和输入电压无关，输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。

需要强调的是：以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。