[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种在n型覆层和p型覆层之间具有发光层的第III族氮化物半导体发光器件，所述发光层具有MQW结构，其中：

所述发光层具有其中重复沉积有多个层单元的结构，每个层单元包括依次沉积的阱层和势垒层，所述势垒层的带隙大于所述阱层的带隙；

在所述阱层和所述势垒层之间形成有AlGaN层，所述AlGaN层的Al组成比大于所述势垒层的Al组成比；以及

所述发光层包括在所述n型覆层侧的前部和在所述p型覆层侧的后部这两个部分，其中在所述前部中所述AlGaN层的平均Al组成比低于在所述后部中所述AlGaN层的平均Al组成比。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中在所述前部中所述AlGaN层的平均Al组成比是在所述后部中所述AlGaN层的平均Al组成比的0.2至0.8倍。

3.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光层具有三至十二个层单元。

4.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光层在所述前部中具有一至九个层单元。

5.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光层在所述前部中具有一至九个层单元。

6.根据权利要求4所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光层在所述后部中具有二至十一个层单元。

7.根据权利要求5所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光层在所述后部中具有二至十一个层单元。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中在所述阱层和所述AlGaN层之间形成有盖层，所述盖层的带隙大于所述阱层的带隙并且小于所述势垒层的带隙。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中在所述前部中的所述AlGaN层中的每一个具有相同的Al组成比，并且在所述后部中的所述AlGaN层中的每一个具有相同的Al组成比。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中在所述前部和所述后部中的至少一个部分中所述AlGaN层的Al组成比随着层单元的数目的增加而从所述n型覆层侧朝所述p型覆层侧单调递增。

11.根据权利要求10所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中在所述前部和所述后部中所述AlGaN层的Al组成比按一个层单元或几个层单元的方式从所述n型覆层侧朝所述p型覆层侧单调递增。

12.根据权利要求8所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述势垒层由AlGaN形成。

13.根据权利要求12所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述盖层由GaN形成。

14.根据权利要求8所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中在所述前部中所述AlGaN层中的每一个具有相同的Al组成比，并且在所述后部中所述AlGaN层中的每一个具有相同的Al组成比。

15.根据权利要求8所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中在所述前部和所述后部中的至少一个部分中所述AlGaN层的所述Al组成比随着层单元的数目的增加而从所述n型覆层侧朝所述p型覆层侧单调递增。