[发明专利]金属积层陶瓷基板的分断方法及沟槽加工用工具在审
申请号: | 201310381702.4 | 申请日: | 2013-08-26 |
公开(公告)号: | CN103681295A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 武田真和;村上健二;田村健太 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B28D5/00;H05K3/46 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 日本大阪府*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 陶瓷 方法 沟槽 工用 工具 | ||
1.一种积层陶瓷基板的分断方法,其是在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法,其特征在于该分断方法包括:
沿着上述积层陶瓷基板的刻划预定线利用图案化工具对金属膜进行沟槽加工;
沿着已去除上述金属膜的沟槽自上述陶瓷基板的面进行刻划;及
使上述积层陶瓷基板与划线一致而进行折断。
2.如权利要求1所述的积层陶瓷基板的分断方法,其特征在于,其中上述陶瓷基板的刻划为使用有刻划轮的刻划。
3.一种积层陶瓷基板的分断方法,其是在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法,其特征在于该分断方法包括:
沿着上述积层陶瓷基板的刻划预定线自上述陶瓷基板的面进行刻划;
沿着上述陶瓷基板的划线自上述金属膜的面对金属膜利用图案化工具进行沟槽加工;及
使上述积层陶瓷基板与上述划线一致而进行折断。
4.如权利要求3所述的积层陶瓷基板的分断方法,其特征在于,其中上述陶瓷基板的刻划为使用有刻划轮的刻划。
5.一种积层陶瓷基板的分断方法,其是在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板的分断方法,其特征在于该分断方法包括:
沿着上述陶瓷基板的刻划预定线对金属膜利用图案化工具进行沟槽加工;
自上述金属膜的面沿着已去除金属膜的沟槽对上述陶瓷基板转动刻划轮而进行刻划;及
与上述积层陶瓷基板的划线一致而进行折断。
6.如权利要求5所述的积层陶瓷基板的分断方法,其特征在于,其中上述陶瓷基板的刻划为使用有刻划轮的刻划。
7.一种金属膜积层陶瓷基板沟槽加工用工具,其是用以将金属膜积层陶瓷基板的金属膜的一部分去除而进行沟槽加工的沟槽加工用工具,其特征在于:
刀尖为圆锥台形状、角柱状或将角柱状的左右切开的形状的任一形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造