[发明专利]一种在LTCC基板上制备垂直空腔的方法

权利要求书

1.一种在LTCC基板上制备垂直空腔的方法，其特征在于包括以下步骤：

A、选用通过干法流延方式制备出的生瓷带，记为膜片A；选用一张流延时用于承载生瓷带的载膜薄膜，记为薄膜B；选用一张厚度与薄膜B一致的生瓷带，记为膜片C；

B、将薄膜B裁切成与所需制备的垂直空腔的长宽相同的图形，裁剪后的薄膜记为薄膜D；在膜片C上裁切并去掉与薄膜D长宽一致的部分，该去掉的部分在膜片C中的位置与所需制备的垂直空腔在膜片C中的位置相同；

C、选取一定数量的膜片A逐一叠层，叠至第n-1层时，选取经过步骤B处理后得到的膜片C叠层，并将薄膜D放置在膜片C中的空位处，然后继续选取一定数量的膜片A逐一叠层，直至叠到所需厚度为止；

D、将叠层后的多层膜片压成致密的巴块；

E、采用预设有突出刀口的切割刀对步骤D形成的巴块进行切割，切割完成后将多余的切块和薄膜D去除形成所需的垂直空腔；

F、将经过步骤E处理的巴块放入排胶炉、烧结炉中进行排胶和烧结，形成大小相同、致密均匀的多层成瓷基板。

2.如权利要求1所述的在LTCC基板上制备垂直空腔的方法，其特征在于：在步骤A中，膜片A的厚度为50um～100um，薄膜B的厚度为30～50um。

3.如权利要求1或2所述的在LTCC基板上制备垂直空腔的方法，其特征在于：在步骤D中，将叠层后的多层膜片通过热水等静压的方式压成致密的巴块。