[发明专利]用于MEMS的双面微加工方法和MEMS器件

权利要求书

1.一种用于MEMS的双面微加工方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1：在衬底的第一表面上制作用于双面光刻机的第一对位标记，并制作第一图形；

步骤2：利用用于双面光刻机的所述第一对位标记在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面制作用于双面光刻机的第二对位标记；以及

步骤3：在所述第二表面上制作第二图形，

其中，在所述步骤1和/或所述步骤2中还包括相应地在所述第一表面和/或所述第二表面上还形成用于步进光刻机的第三对位标记和/或第四对位标记，以采用步进式光刻机制作相应的所述第一图形和/或所述第二图形。

2.如权利要求1所述的双面微加工方法，其特征在于，在所述步骤1中包括采用步进光刻机在所述第一表面上制作用于步进光刻机的所述第三对位标记和用于双面光刻机的所述第一对位标记，并采用所述步进光刻机利用所述第三对位标记在所述第一表面上制作所述第一图形。

3.如权利要求2所述的双面微加工方法，其特征在于，在所述步骤3中包括采用双面光刻机利用所述第二对位标记在所述第二表面制作所述第二图形。

4.如权利要求3所述的双面微加工方法，其特征在于，在所述步骤2中利用双面光刻机在所述第二表面上仅制作用于双面光刻机的所述第二对位标记。

5.如权利要求1所述的双面微加工方法，其特征在于，在所述步骤1中包括采用双面光刻机在所述第一表面制作用于双面光刻机的所述第一对位标记，并利用所述第一对位标记制作所述第一图形。

6.如权利要求2或5所述的双面微加工方法，其特征在于，在所述步骤2中包括采用双面光刻机在所述第二表面制作用于步进光刻机的所述第四对位标记和用于双面光刻机的所述第二对位标记。

7.如权利要求6所述的双面微加工方法，其特征在于，在所述步骤3中包括采用步进光刻机利用所述第四对位标记在所述第二表面制作所述第二图形。

8.如权利要求1所述的双面微加工方法，其特征在于，所述衬底包括半导体衬底和玻璃。

9.一种MEMS器件，其特征在于，所述器件包括：

衬底，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

第一图形和第二图形，所述第一图形形成在所述第一表面上，且所述第二图形形成在所述第二表面上；

用于双面光刻机的第一对位标记和第二对位标记，所述第一对位标记形成在所述第一表面上，且所述第二对位标记形成在所述第二表面上；

用于步进光刻机的对位标记，其形成在所述第一表面和/或所述第二表面上，以相应地采用所述步进光刻机制作所述第一图形和/或所述第二图形。