[发明专利]太阳能电池表面钝化层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池表面钝化层结构，其特征在于，包括：

二氧化硅钝化膜，沉积在一晶体硅衬底上；

氮化硅钝化膜，沉积在所述二氧化硅钝化膜上；

其中，所述二氧化硅钝化膜的厚度为10-40纳米，所述氮化硅钝化膜的厚度为45-75纳米。

2.如权利要求1所述的太阳能电池表面钝化层结构，其特征在于，所述二氧化硅钝化膜的厚度为20-30纳米。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池表面钝化层结构，其特征在于，所述氮化硅钝化膜的厚度为55-60纳米。

4.如权利要求3所述的太阳能电池表面钝化层结构，其特征在于，所述二氧化硅钝化膜的折射率为1.4-1.46，所述氮化硅钝化膜的折射率为2.0～2.3。

5.一种太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一晶体硅衬底，其中，所述晶体硅衬底已经依次进行了制绒、扩散以及刻蚀工艺；

对所述晶体硅衬底进行热氧化工艺，在所述晶体硅衬底上生成二氧化硅钝化膜；

对所述晶体硅衬底进行PECVD工艺，在所述二氧化硅钝化膜上沉积氮化硅钝化膜；

其中，所述二氧化硅钝化膜的厚度为10-40纳米，所述氮化硅钝化膜的厚度为45-75纳米。

6.如权利要求5所述的太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，其特征在于，所述热氧化工艺的工艺条件为：

通入的气体为：氮气：7～9slm，氧气：1000～3500sccm；

温度：850～870℃；

时间：30～40min。

7.如权利要求6所述的太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，其特征在于，所述热氧化工艺的工艺条件为：

通入的气体为：氮气：8slm，氧气：2000sccm；

温度：860℃；

时间：35min。

8.如权利要求5所述的太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，其特征在于，所述PECVD工艺的工艺条件为：

功率：7200～7500瓦；

通入的气体：氨气：6.5slm，硅烷：480sccm；

Ton:Toff=6:60；其中，Ton为射频功率开启时间，Toff为射频功率关闭时间；

温度：480-490℃；

时间：400～500S。

9.如权利要求8所述的太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，其特征在于，所述PECVD工艺的工艺条件为：

功率：7400瓦；

通入的气体：氨气：6.5slm，硅烷：480sccm；

Ton:Toff=6:60；其中，Ton为射频功率开启时间，Toff为射频功率关闭时间；

温度：480-490℃；

时间：450S。

10.如权利要求5所述的太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，其特征在于，该方法在所述二氧化硅钝化膜上沉积氮化硅钝化膜后还包括以下步骤：丝网印刷、金属化以及分选的步骤。