[发明专利]一种低功耗、低抖动、宽工作范围的晶体振荡器电路

权利要求书

1.一种晶体振荡器电路，包括：

晶体谐振器电路，产生有预定振荡频率的振荡信号；

反相放大电路，具有第一放大器输入端，第二放大器输入端和反相放大器输出端，第一放大器输入端耦合到晶体谐振器电路并且接收振荡信号；其中，反相放大器输出反相放大输出信号；

偏置电路，具有偏置电路输入端和偏置电路输出端，偏置电路输出端产生由偏置电路输入端控制的偏置电路输出信号，并且偏置电路输出信号耦合到第二放大器输入端；

峰值检测电路，比较反相放大输出信号和一个参考信号并且调节峰值检测器输出信号，并且将峰值检测器输出信号送入偏置电路的输入端；

其中，所述偏置电路包括自调整电路，用于隔离电源和反相放大器的第二输入端；

其中偏置电路包括NMOS晶体管(M12)、第一电流镜(M11和M7)和第二电流镜(M8和M3)，NMOS晶体管(M12)的栅极连接在偏置电路的输入端，NMOS晶体管(M12)的漏极连接在第一电流镜的第一支路上，第一电流镜的第二支路连接在第二电流镜的第一支路上，第二电流镜的第二支路连接到偏置电路的输出端。

2.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其中峰值检测电路包括第一电阻(R1)和第一电容(C1)构成的低通滤波器。

3.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其中反相放大电路包括第一NMOS晶体管(M1)，第二PMOS晶体管(M2)和第二电阻(M13)，其中第一NMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的栅极和第二电阻的一端连接在反相放大器电路的输出端，第一NMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的源极和第二电阻的另一端相连，第二PMOS晶体管的漏极连接在反相放大器的第二输入端；第一NMOS晶体管的源极接地。

4.如权利要求3所述的晶体振荡器电路，其中第二电阻由NMOS晶体管构成。

5.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其中第一电流镜和/或第二电流镜由晶体管构成。

6.如权利要求5所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述偏置电路包括：自调整电路；所述自调整电路包括NMOS晶体管(M3)、NMOS晶体管M8、NMOS晶体管(M10)和PMOS晶体管(M9)，所述NMOS晶体管(M8)和NMOS晶体管(M3)构成第二电流镜；所述NMOS晶体管(M10)和所述PMOS晶体管(M9)复制NMOS晶体管(M1)和NMOS晶体管(M2)。

7.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其中偏置电路包括连接在偏置电路输入端和输出端之间的窄带滤波器，在低于振荡器振荡频率的第一频率下进行低通滤波；偏置电路还包括频率检测器，在振荡器频率未达稳定的时候旁路开关电容滤波器。

8.如权利要求7所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述窄带滤波器是开关电容滤波器。

9.如权利要求7所述的晶体振荡器电路，包括第三电阻(R2)和第三电容(C2)组成的低通滤波器。

10.如权利要求7所述的晶体振荡器电路，包括分频器，产生所述低于振荡器振荡频率的第一频率。