[发明专利]稻草覆盖免耕马铃薯栽培方法无效
申请号: | 201310383821.3 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103493653A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 高深 | 申请(专利权)人: | 高深 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01G13/02 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 吴彦峰 |
地址: | 537505 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 稻草 覆盖 马铃薯 栽培 方法 | ||
技术领域
本发明涉及农作物栽培方法,尤其是涉及一种稻草覆盖免耕马铃薯栽培方法。
背景技术
马铃薯是我国五大主食之一,其营养价值高、适应力强、产量大,近年来因其在保障粮食安全方面发挥了越来越重要的作用而得到政府部门的广泛重视。2010年,中国发布了马铃薯产业的第十二个五年规划,其中提及预计到2015年中国马铃薯总产量将达到1.5亿吨,种植面积达到1.2亿亩,年均复合增长率将达到13%。而传统马铃薯种植方法需要翻耕整畦,施肥播种,中耕除草和挖薯的做法,其工序多过程繁杂,效率低,不利于马铃薯产量的提高,而且收获的马铃薯表面带土多,破碎多,影响其商品率。稻草全程覆盖免耕马铃薯栽培技术具有省工、省时、高产、高效、生态、环保的特点,非常适合在稻田中推广应用,解决长期以来没有解决好的稻草还田问题。
发明内容
本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题,提供一种稻草全程覆盖免耕马铃薯栽培方法,提高马铃薯质量和产量以及稻田的利用率。
本发明采用的技术方案如下:
一种稻草覆盖免耕马铃薯栽培方法,该方法包括以下步骤:
(1)选地整畦
选择耕层深厚、土质均匀,排灌俱佳的稻田,在收割水稻时,要齐泥割稻,浅留稻桩16~18cm高度,播种前先划畦开沟,畦宽1.6~1.7m,沟宽22~24cm,沟深16~18cm,在距田埂四周1m处开设边沟,沟宽22~24cm,沟深16~18cm,开沟时挖起的泥土均匀抛在畦中间,全田畦面形成弓背形,沟沟相通,做到能排能灌;
(2)种薯处理
选择丰产优质、无病虫害、无冻害、表皮光滑新鲜且单个重量在30~40克的块茎作种薯,未通过休眠期种薯需催芽,打破种薯休眠期,促进芽早萌发、早出芽、出苗整齐,播种前根据种薯萌芽的分布及薯块大小,将其切成3~4块,每一块必须保证有一个健壮的萌芽,并且切口距芽眼1~2cm,将分切好的的薯块在50%多菌灵可湿性粉剂350~450倍溶液中浸3~5min,浸好后捞出摊开将表面水分晾干,用草木灰均匀拌种;
(3)播种施肥
选择在10月中旬至11月上旬晴好天气播种,将经过处理的种薯直接摆放在畦面上,每畦摆种5~6行,行距35~39cm,株距20~24cm,每亩播5600~6000株。播完后一次性施足基肥,肥料应施在离种薯6~7cm的行间,防止化肥与种薯直接接触造成伤苗,每亩施腐熟栏肥2000~2500公斤,腐熟人粪尿550~650公斤,三元颗粒复合肥50~55公斤作基肥;
(4)盖草及水分管理
播种后用稻草均匀覆盖并轻轻拍实在畦面上,厚度为10cm为好,盖草太厚不利于出苗,太薄则容易形成绿薯,影响产量。盖草后进行清沟,将沟中挖起来的泥土均匀压在稻草上。以水的排灌为工作重点,干旱时采取小水顺畦沟灌,并及时排水落干,以保证田间湿润,促正常出苗和齐苗,在低洼及多雨季节注意排水防渍,还需注意病虫害的及时防治;
(5)适时收获
选择在次年1月晴好天气开始收获,当茎叶呈现黄色时,即为薯块成熟的象征,只要将稻草拨开,将马铃薯捡起来即可。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
A、适当提早生育期,提早薯块膨大期,生育后期肥力充足。
B、有利于稻草还田,冬闲田的利用。稻草还田,增加土壤有机质,培肥地力,保护土壤结构和生态环境,生育期短,效益高,现已受到广大种植户的欢迎。冬闲田的有效利用,减少冬季抛荒,增加农民收入。
C、有利于生产绿色食品。水旱轮作可以减轻稻、薯两种作物的病虫害;稻草全程覆盖在一定程度上抑制了杂草生长,10cm厚的稻草层有利于调节土面温度,使马铃薯不易得病。稻草覆盖种植马铃薯从整地至收获无需喷施化学除草剂和农药,是一项生产安全食品的技术。
D、方法简便易行,省工省力,商品性好。稻草覆盖免耕种植马铃薯,既满足当前农村劳动力缺乏,耕地数量少的现状,又能提高复种指数。薯块表面光滑,色泽鲜嫩,破损率低,商品性好,产量能与常规种法一比高低,是一项实用的轻型栽培技术。
具体实施方式
现结合实施例对本发明技术方案进行进一步说明。
实施例1:
一种稻草覆盖免耕马铃薯栽培方法,该方法包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高深,未经高深许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310383821.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双极化集成电路结构的PLL-CS波段多功能降频器
- 下一篇:一种低压振荡器