[发明专利]N-沟道可多次编程存储器器件有效
| 申请号： | 201310384724.6 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103680609B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | Y·何;X·卢;A·伯格蒙特 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电类型 衬底 导电类型阱 多次编程 存储器器件 沟道区域 漏极区域 沟道 源极 存储器单元 浮置栅极 氧化物层 沟道区 热电子 热空穴 擦除 编程 延伸 | ||
1.一种可多次编程存储器单元，包括：
N-导电类型衬底；
第一P-导电类型阱和第二P-导电类型阱，位于所述N-导电类型衬底中；
N-导电类型的源极区域和漏极区域，形成在所述第一P-导电类型阱中，所述源极区域和所述漏极区域由沟道区域间隔开；
氧化物层，位于所述N-导电类型衬底之上；以及
浮置栅极，在所述沟道区域之上且在所述N-导电类型衬底中的所述第二P-导电类型阱之上延伸；
所述可多次编程存储器单元能够通过热电子注入来进行编程并且能够通过热空穴注入来进行擦除。
2.如权利要求1所述的可多次编程存储器单元，进一步包括所述源极区域和所述漏极区域之间的浅沟槽隔离。
3.如权利要求1所述的可多次编程存储器单元，其中，所述可多次编程存储器单元能够通过如下施加电压来进行擦除：
向所述衬底施加地电压；
向所述第一P-导电类型阱施加地电压；
向所述第二P-导电类型阱施加负电压；
向所述源极或所述漏极施加正电压；
向所述漏极或所述源极，不进行连接。
4.如权利要求3所述的可多次编程存储器单元，其中，所述可多次编程存储器单元能够通过如下施加电压来进行编程：
向所述衬底施加正电压；
向所述第一P-导电类型阱施加地电压；
向所述第二P-导电类型阱施加正电压；
向所述源极或所述漏极施加地电压；
向所述漏极或所述源极施加正电压。
5.如权利要求4所述的可多次编程存储器单元，其中，所述可多次编程存储器单元能够通过如下施加电压来进行读取：
向所述衬底施加正电压；
向所述第一P-导电类型阱施加正电压；
向所述第二P-导电类型阱施加正电压；
向所述源极或所述漏极施加正电压；
向所述漏极或所述源极施加地电压。
6.一种对N-导电类型的可多次编程存储器单元进行编程和擦除的方法，包括：
使用热电子注入来对所述可多次编程存储器单元进行编程；以及
使用热空穴注入来对所述可多次编程存储器单元进行擦除；
其中，所述方法用于可多次编程存储器单元，该可多次编程存储器单元包括：
N-导电类型衬底；
第一P-导电类型阱和第二P-导电类型阱，位于所述N-导电类型衬底中；
N-导电类型的源极区域和漏极区域，形成在所述第一P-导电类型阱中，所述源极区域和所述漏极区域由沟道区域间隔开；
氧化物层，位于所述N-导电类型衬底之上；以及
浮置栅极，在所述沟道区域之上且在所述N-导电类型衬底中的所述第二P-导电类型阱之上延伸。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过如下施加电压来对所述可多次编程存储器单元进行擦除：
向所述衬底施加地电压；
向所述第一P-导电类型阱施加所述地电压；
向所述第二P-导电类型阱施加负电压；
向所述源极或所述漏极施加正电压；
向所述漏极或所述源极，不进行连接。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述可多次编程存储器单元能够通过如下施加电压来进行编程：
向所述衬底施加正电压；
向所述第一P-导电类型阱施加所述地电压；
向所述第二P-导电类型阱施加正电压；
向所述源极或所述漏极施加所述地电压；
向所述漏极或所述源极施加正电压。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述可多次编程存储器单元能够通过如下施加电压来进行读取：
向所述衬底施加正电压；
向所述第一P-导电类型阱施加正电压；
向所述第二P-导电类型阱施加正电压；
向所述源极或所述漏极施加正电压；
向所述漏极或所述源极施加所述地电压。
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