[发明专利]阵列基板及其检测方法和制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括第一检测线、第二检测线以及相间设置的第一数据线和第二数据线；其特征在于：所述第一数据线直接连接至第一检测线，第二数据线通过开关元件连接至第二检测线；或者，所述第二数据线直接连接至第二检测线，第一数据线通过开关元件连接至第一检测线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开关元件为第一薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极连接至控制线。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板显示区域包括阵列排布的第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管构造相同。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极金属层以及源漏金属层；所述第一检测线与所述栅极金属层同层设置，所述第二检测线与所述第一薄膜晶体管的源极连接，所述第二数据线与所述第一薄膜晶体管的漏极连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二检测线与所述源漏金属层同层设置，所述第一数据线以及第二数据线与源漏金属层同层设置；所述第一检测线通过过孔与所述第一数据线直接连接，所述第二检测线与所述第一薄膜晶体管的源极为一体结构。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二检测线与所述栅极金属层同层设置，所述第一数据线以及第二数据线与源漏金属层同层设置，所述第一检测线通过过孔与所述第一数据线直接连接，所述第二检测线通过过孔与所述第一薄膜晶体管的源极连接。

7.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一检测线与所述第一薄膜晶体管的栅极为一体结构，所述控制线为所述第一检测线。

8.一种对根据权利要求1-7任意一项所述的阵列基板进行检测的方法，其特征在于，包括步骤：

在与所述开关元件连接的检测线输入数据信号，另一检测线无信号输入；

关断所述开关元件；

若在所述阵列基板的显示区域可以检测到数据信号，则判断所述第一检测线与第二检测线发生短路。

9.一种阵列基板制备方法；其特征在于，包括位于显示区域的第二薄膜晶体管的步骤以及形成根据权利要求1-7任意一项所述的开关元件的步骤。

10.根据权利要求9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述开关元件为第一薄膜晶体管。

11.根据权利要求10所述的阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

在形成所述第二薄膜晶体管的同时形成所述第一薄膜晶体管。

12.根据权利要求11所述的阵列基板制备方法，其特征在于，进一步包括：

在衬底基板上形成第一检测线、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极金属层以及控制线；

形成覆盖整个衬底基板的栅绝缘层；

形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源层；

形成第一数据线、第二数据线、第二检测线以及第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源漏金属层；

形成钝化层以及过孔。

13.根据权利要求11所述的阵列基板制备方法，其特征在于，进一步包括：

在衬底基板上形成第一检测线、第二检测线、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极金属层以及控制线；

形成覆盖整个衬底基板的栅绝缘层；

形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源层；

形成第一数据线、第二数据线以及第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源漏金属层；

形成钝化层以及过孔。

14.根据权利要求12或13所述的阵列基板制备方法，其特征在于，设置所述第一检测线与所述第一薄膜晶体管的栅极为一体结构，所述控制线为所述第一检测线。