[发明专利]包括用于电极的支撑件的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个电容器，其包括：

在所述衬底上的各自独立的多个下电极；

在所述多个下电极的表面上的电介质膜；以及

在所述电介质膜上的上电极；

第一支撑图案，其连接到所述多个下电极各自的下部侧壁，并且包括第一开口；以及

第二支撑图案，其连接到所述多个下电极各自的上部侧壁，并且包括第二开口，

其中，所述第一支撑图案与所述第二支撑图案之间的第一距离比所述第一支撑图案与所述多个下电极各自的和所述衬底相邻的底部之间的第二距离更长。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一距离和所述第二距离分别包括第一垂直距离和第二垂直距离；并且

所述第一垂直距离与所述第二垂直距离之比在从1:1到9:1的范围内。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一支撑图案具有第一厚度，所述第一厚度等于所述第二支撑图案的第二厚度或者比所述第二厚度更薄。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二开口在平面图中至少与所述第一开口的一部分重叠；并且

所述第一开口具有第一宽度，所述第一宽度比所述第二开口的第二宽度更宽。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二开口与所述第一开口偏离，使得所述第一开口与所述第二开口在平面图中不重叠。

6.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个电容器，其包括：

在所述衬底上的各自独立的多个下电极；

在所述多个下电极的表面上的电介质膜；以及

在所述电介质膜上的上电极；

第一支撑图案，其连接到所述多个下电极的下部侧壁，并且包括第一开口；以及

第二支撑图案，其连接到所述多个下电极的上部侧壁，并且包括第二开口，

其中所述第二开口在平面图中至少与所述第一开口的一部分重叠，并且其中所述第一开口具有第一宽度，所述第一宽度比所述第二开口的第二宽度更宽。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一支撑图案具有第一厚度，所述第一厚度等于所述第二支撑图案的第二厚度或者比所述第二厚度更薄。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一支撑图案与所述第二支撑图案之间的第一垂直距离比所述第一支撑图案与所述多个下电极各自的和所述衬底相邻的底部之间的第二垂直距离更长。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一垂直距离与所述第二垂直距离之比在从1:1到9:1的范围内。

10.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述多个下电极各自的顶表面共面。

11.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括步骤：

在下部结构上形成可去除层，所述可去除层包括半导体材料或者氧化物材料；

在所述可去除层的顶表面上形成缓冲层，所述缓冲层相对于所述可去除层具有蚀刻选择性；

在所述缓冲层上形成支撑层，以定义暴露所述缓冲层的开口；

将所述可去除层、所述缓冲层和所述支撑层图案化，以形成暴露所述下部结构的多个孔；

分别在所述多个孔中形成多个下电极；

去除所述可去除层和所述缓冲层；以及

在所述多个下电极的表面上顺序地形成电介质膜和上电极。

12.如权利要求11所述的形成半导体器件的方法，其中所述支撑层包括相对于所述可去除层和所述缓冲层具有蚀刻选择性的材料。

13.如权利要求11所述的形成半导体器件的方法，其中所述可去除层包括单晶硅层、非晶硅层、掺杂硅层、锗硅层或者碳基材料。

14.如权利要求11所述的形成半导体器件的方法，其中所述支撑层包括SiN、SiCN、TaO和TiO₂中的一种。