[发明专利]层叠封装接合结构

权利要求书

1.一种半导体管芯封装件，包括：

半导体管芯；

模塑料，至少部分地封装所述半导体管芯；

封装通孔（TPV），形成在所述模塑料中，所述TPV设置为邻近所述半导体管芯，所述TPV包括第一导电层和第二导电层，并且所述第一导电层填充所述TPV的第一部分而所述第二导电层填充所述TPV的第二部分；以及

重分布结构，所述重分布结构包括重分布层（RDL），所述TPV和所述半导体管芯电连接至所述RDL，并且所述RDL能够实现所述半导体管芯的扇出。

2.根据权利要求1所述的半导体管芯封装件，其中，所述第一部分的高度介于约0.1μm至约30μm之间。

3.根据权利要求1所述的半导体管芯封装件，其中，所述第二部分的高度介于约50μm至约300μm之间。

4.根据权利要求1所述的半导体管芯封装件，其中，通过所述模塑料中的开口来暴露所述第一导电层的第一表面，并且所述第一表面基本上与所述模塑料的表面平齐。

5.根据权利要求1所述的半导体管芯封装件，其中，所述TPV的与所述RDL相对的端部相对于所述模塑料的顶面形成凹槽，所述凹槽的高度介于约0.1μm至约30μm之间。

6.根据权利要求1所述的半导体管芯封装件，其中，形成与所述第一导电层邻近并且与所述第二导电层相对的第三导电层。

7.根据权利要求6所述的半导体管芯封装件，其中，所述第三导电层由焊料形成。

8.根据权利要求1所述的半导体管芯封装件，其中，所述第一导电层由与铜相比不太可能氧化并且当结合至焊料时不太可能形成金属间化合物（IMC）的导电金属制成。

9.一种半导体管芯封装件，包括：

半导体管芯；

封装通孔（TPV），形成在所述半导体管芯封装件中，所述TPV设置为邻近所述半导体管芯，所述TPV包括导电层和凹槽；以及

重分布结构，所述重分布结构包括重分布层（RDL），所述TPV和所述半导体管芯电连接至所述RDL，并且所述RDL能够实现所述半导体管芯的扇出，所述凹槽位于所述导电层的与所述RDL相对的一侧。

10.一种层叠封装器件（PoP），包括：

第一管芯封装件，所述第一管芯封装件包括：

第一半导体管芯；和

封装通孔（TPV），所述TPV设置为邻近所述半导体管芯，所述TPV包括第一导电层和第二导电层；以及

第二管芯封装件，所述第二管芯封装件包括：

第二半导体管芯；和

包含焊料的外部连接件，

其中，所述第二管芯封装件的外部连接件接合至所述第一管芯封装件的TPV。