[发明专利]沟槽功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和保护环区；

在所述半导体衬底的有源区形成沟槽，在所述沟槽中形成沟槽功率器件的栅极；

在所述半导体衬底上形成层间介质层，并通过刻蚀在所述层间介质层上形成第一通孔与第二通孔，所述第一通孔与所述沟槽功率器件的源区位置对应，所述第二通孔与保护环的位置对应；

对所述第一通孔和第二通孔进行第一次离子注入，在所述第一通孔暴露出的半导体衬底中形成阱区，在所述第二通孔暴露出的半导体衬底中形成保护环；

在所述层间介质层上沉积硼磷硅玻璃材料，在所述硼磷硅玻璃材料上沉积一层隔离材料，通过刻蚀在所述第一通孔上形成侧墙，并对所述硼磷硅玻璃材料进行回流，封闭所述第二通孔；

进行第二次离子注入在所述第一通孔下方的阱区内形成源区，并进行退火；

对所述第一通孔暴露出的半导体衬底进行刻蚀，填充金属形成沟槽功率器件的接触孔。

2.如权利要求1所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述隔离材料的材质为氮化硅。

3.如权利要求2所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述氮化硅的厚度为

4.如权利要求1所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，对所述硼磷硅玻璃材料进行回流的温度为850℃～950℃。

5.如权利要求4所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，对所述硼磷硅玻璃材料进行回流的时间为25min～35min。

6.如权利要求1所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，对所述硼磷硅玻璃材料进行回流的温度为750℃～850℃。

7.如权利要求6所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，对所述硼磷硅玻璃材料进行回流的时间为45min～55min。

8.一种使用权利要求1～7所述的沟槽功率器件的制作方法制作的沟槽功率器件，其特征在于，包括：

包含有源区和保护环区的半导体衬底；

在所述半导体衬底的有源区形成有沟槽；

栅极结构形成在所述沟槽内，所述栅极结构两侧形成有阱区与源区，所述保护环区形成有保护环；

所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层中对应源级的位置上形成有第一通孔，对应保护环的位置上形成有第二通孔；

所述第一通孔中形成有侧墙，所述侧墙的材质从所述第一通孔内壁开始依次为硼磷硅玻璃材料与隔离材料，所述第二通孔中依次沉积有硼磷硅玻璃材料与隔离材料，将所述第二通孔封闭；

所述第一通孔延伸至源区内，其中填充有金属形成沟槽功率器件的接触孔。