[发明专利]用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法

权利要求书

1.一种用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于包括：

第一刻蚀步骤：在预定工艺条件下，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀；

第二刻蚀步骤：利用湿法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行进一步刻蚀，以形成硅化物阻挡氧化物层的图案。

2.根据权利要求1所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法用于刻蚀总厚度为300-400A的硅化物阻挡氧化物层。

3.根据权利要求2所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，利用干法刻蚀对硅化物阻挡氧化物层进行部分刻蚀后剩余的硅化物阻挡氧化物层厚度为100A-200A。

4.根据权利要求1至3之一所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述预定工艺条件为：150W-250W的刻蚀功率，50mT-100mT的压力；不小于10sec的刻蚀时间。

5.根据权利要求1至3之一所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述预定工艺条件为：150W-180W的刻蚀功率，50mT-75mT的压力；不小于20sec的刻蚀时间。

6.根据权利要求1至3之一所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法用于刻蚀总厚度为300A的硅化物阻挡氧化物层。

7.根据权利要求6所述的用于硅化物阻挡氧化物层的刻蚀方法，其特征在于，所述预定工艺条件为：160W的刻蚀功率，65mT的压力；不小于20sec的刻蚀时间。