[发明专利]提高整合被动器件电感器Q值的方法无效
| 申请号： | 201310386024.0 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103426730A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 整合 被动 器件 电感器 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高整合被动器件电感器Q值的方法，其特征在于包括：
首先，在高阻硅衬底上直接淀积一个无定形硅层，以使得无定形硅层直接形成在高阻硅衬底上；
随后，在无定形硅层上直接生长一个层间绝缘层，以使得层间绝缘层直接形成在无定形硅层上；
然后，在层间绝缘层层上淀积金属层，并形成金属层的图案从而制作电感器。
2.根据权利要求1所述的提高整合被动器件电感器Q值的方法，其特征在于，所述高阻硅衬底是电阻率大于或等于100欧姆·厘米的硅衬底。
3.根据权利要求1或2所述的提高整合被动器件电感器Q值的方法，其特征在于，所述层间绝缘层为二氧化硅层。
4.一种整合被动器件电感器，其特征在于包括：直接布置在高阻硅衬底上的无定形硅层、直接布置在无定形硅层上的层间绝缘层、以及布置在层间绝缘层层上的形成有金属层图案以形成电感器的金属层。
5.根据权利要求4所述的整合被动器件电感器，其特征在于，所述高阻硅衬底是电阻率大于或等于100欧姆·厘米的硅衬底。
6.根据权利要求4或5所述的整合被动器件电感器，其特征在于，所述层间绝缘层为二氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
