[发明专利]用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法及MEMS AMR接触孔制造方法无效
| 申请号： | 201310386331.9 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103435003A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 mems amr 接触 刻蚀 方法 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于MEMSAMR的接触孔刻蚀方法，其特征在于包括：
第一步骤：利用物理气相沉积设备执行物理气相沉积以形成氮化钽层；
第二步骤：利用光阻掩膜对所述氮化钽层执行软刻蚀，以便形成接触孔；
第三步骤：在形成接触孔之后去除光阻掩膜，其中在所述氮化钽层上残留聚合物残留物；
第四步骤：在去除光阻掩膜之后对所述氮化钽层执行软溅射刻蚀，以便去除所述氮化钽层上少量的聚合物残留物以及所述氮化钽层的表层。
2.根据权利要求1所述的用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述氮化钽层的厚度介于350A至1000A之间。
3.根据权利要求1或2所述的用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法，其特征在于，第二步骤中利用光阻掩膜对述氮化钽层执行软刻蚀的偏压功率介于20W至80W之间。
4.根据权利要求1或2所述的用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法，其特征在于，第四步骤中去除的所述氮化钽层的表层的厚度介于50A至150A之间。
5.根据权利要求1或2所述的用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法，其特征在于，在所述第一步骤所使用的物理气相沉积设备中执行所述第四步骤中的对所述氮化钽层执行的软溅射刻蚀。
6.一种采用了根据权利要求1至5之一所述的用于MEMS AMR的接触孔刻蚀方法的MEMS AMR接触孔制造方法。
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