[发明专利]用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法有效
| 申请号： | 201310386332.3 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103420329A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 mems 工艺 tan 刻蚀 聚合物 残留 去除 方法 | ||
1.一种用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法，其特征在于包括：
第一步骤：利用光阻掩膜对TaN膜层进行刻蚀以形成接触孔，其中在光阻掩膜表面会形成TaN类聚合物；
第二步骤：在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理，以部分地去除光阻表面比较难去除的TaN类聚合物以及部分地去除光阻掩膜；
第三步骤：在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理，以便完全去除光阻掩膜；
第四步骤：在85摄氏度下利用CF4和O2的混合气体进行灰化处理，以便去除剩余的TaN类聚合物，其中引入了C类聚合物；
第五步骤：在85摄氏度下利用O2气体进行灰化处理，以便去除C类聚合物400；
第六步骤：进行湿法清洗，去除聚合物和残留的光阻掩膜。
2.根据权利要求1所述的用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法，其特征在于，第二步骤中CF4和O2的气体体积比为40：1500。
3.根据权利要求1或2所述的用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法，其特征在于，第四步骤中CF4和O2的气体体积比为40：1500。
4.根据权利要求1或2所述的用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法，其特征在于，第二步骤中灰化处理的功率介于200至400W之间。
5.根据权利要求1或2所述的用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法，其特征在于，第三步骤中灰化处理的功率介于200至400W之间。
6.根据权利要求1或2所述的用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法，其特征在于，第四步骤中灰化处理的功率介于200至400W之间。
7.根据权利要求1或2所述的用于MEMS工艺的TaN刻蚀聚合物残留去除方法，其特征在于，第五步骤中灰化处理的功率介于200至400W之间。
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