[发明专利]一种LED芯片电极的制作方法、LED芯片及LED

权利要求书

1.一种LED芯片电极的制造方法，包括在衬底上依次生长出N型半导体层，发光层和P型半导体层；在所述P型半导体层上刻蚀部分区域，去除该区域的P型半导体层、发光层至显露负N型半导体层；显露的N型半导体层形成N型电极区，用于制作N型电极，未被蚀刻的P型半导体层形成P型电极区，用于制作P型电极，其特征在于所述P型电极的制作方法包括以下步骤：

1）在所述P型电极区上需要制作P型电极的区域镀上与P型半导体层非奥姆接触的第一电极接触层；

2）在所述第一电极接触层上镀上电流阻挡层；

3）在所述P型电极区上，未被上述第一电极接触层和电流阻挡层覆盖的区域镀上电流扩散层；

4）在所述电流阻挡层上镀上与电流扩散层欧姆接触的第二电极接触层；

5）在所述第二电极接触层上镀上第三电极接触层；

6）在所述第三电极接触层上采用化学方法镀上材料为金的电极焊线层。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片电极的制造方法，其特征在于：所述N型电极的制作方法包括，在所述第5）和第6）步中，在P型电极区上镀上第三电极接触层和电极焊线层时，也同时在N型电极区上镀上第三电极接触层和电极焊线层。

3.根据权利要求2所述的一种LED芯片电极的制造方法，其特征在于：所述N型电极的制作方法包括，在所述第1）、第2）和第4）步中，在所述P型电极区上镀上第一电极接触层、电流阻挡层和第二电极接触层时，也同时在N型电极区上镀上第一电极接触层、电流阻挡层和第二电极接触层。

4.根据权利要求1所述的一种LED芯片电极的制造方法，其特征在于：所述第一电极接触层的材料为：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述电流阻挡层的材料为：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

5.根据权利要求1所述的一种LED芯片电极的制造方法，其特征在于：所述第二电极接触层的材料为：Ti或Ni，所述第三电极接触层的材料为Au或Pt或Cr或Wu或Pd。

6.一种LED芯片，包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上的部分区域被去除至显露N型半导体层，所述显露的N型半导体层上设置有N型电极，所述P型半导体层上未被去除的区域设置有P型电极，其特征在于：所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层。

7.根据权利要求6所述的一种LED芯片，其特征在于：所述N型电极包括与P型电极相同的所述第三电极层和材料为金的电极焊线层。

8.根据权利要求7所述的一种LED芯片，其特征在于：所述N型电极还包括有与P型电极相同的所述第一电极接触层、电流阻挡层和第二电极接触层。

9.一种LED，包括支架、安装于支架上芯片、电连接芯片与支架的焊线和焊点、覆盖所述支架和芯片的封装胶体，所述芯片包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上的部分区域被去除至显露N型半导体层，所述显露的N型半导体层上设置有N型电极，所述P型半导体层上未被去除的区域设置有P型电极，其特征在于：所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层，所述焊线和焊点材料为：Au、Al、Ag、Pd、Cu或前述两种以上的合金材料的组合合金。10、根据权利要求9所述的一种LED，其特征在于：所述N型电极包括与P型电极相同的所述第一电极接触层、电流阻挡层、第二电极接触层、第三电极层和材料为金的电极焊线层。