[发明专利]一种新型化学机械研磨用研磨剂无效
| 申请号： | 201310387801.3 | 申请日： | 2013-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103436228A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张竹香 | 申请（专利权）人： | 青岛承天伟业机械制造有限公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266199 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 化学 机械 研磨 研磨剂 | ||
技术领域
本发明涉及一种新型化学机械研磨用研磨剂。
背景技术
近年来，伴随着半导体集成电路(以下记作LSI)的高集成化，高性能化，开发了新型的细微加工技术，化学研磨法就是其中一种，特别是在多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化，金属栓塞形成、埋入布线形成中频繁地应用。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种新型化学机械研磨用研磨剂。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种新型化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：氧化锆5-7份，二氧化硅11-21份，过氧化氢5-9份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7-16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7-10份，处理剂11-18份，二氧化钛3-5份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5-9份。
本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
具体实施方式
实施例1
一种新型化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：氧化锆5-7份，二氧化硅11-21份，过氧化氢5-9份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7-16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7-10份，处理剂11-18份，二氧化钛3-5份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5-9份。
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