[发明专利]一种半导体器件的制造设备和方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造设备，包括轨道以及设置在轨道上方的固晶机或金丝球焊机，其特征在于：所述轨道上设有夹具，所述轨道的入口处设有上料机械手，所述轨道上上料机械手的末端处设有上料机构，所述轨道上上料结构末端处设有预热机构，所述轨道上预热机构末端处设有定位结构，所述定位结构之间设有夹具轨道，所述夹具轨道上设有抽真空装置，所述轨道上定位结构的末端处设有冷却机构，所述轨道上冷却机构的末端处设有下料机构，所述轨道上下料机构末端处设有下料机械手。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制造设备，其特征在于：所述上料机械手与下料机械手为相同结构，均包括与轨道平行的直线导轨和机械手本体，设置于轨道底部的机械手平动电机，与机械手本体平行的传动机构，设置于机械手本体一端的机械手气缸。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制造设备，其特征在于：上料机构与下料机构为相同结构，均包括两端开口的料盒，所述上料机构与下料机构的内侧壁上设有卡槽，所述料盒内层叠放置夹具，所述轨道底部设有固定结构，所述固定结构连接有竖直轨道的一端，所述竖直轨道的另一端连接有料盒电机。

4.根据权利要求1所述的一种半导体器件的制造设备，其特征在于：所述预热机构为安装在轨道上的热电偶，所述热电偶所在位置上设有预热温度传感器，所述热电偶的末端设有预热位置传感器，所述定位结构为设置在夹具轨道两端的沿竖直方向运动的细柱。

5.根据权利要求1至4任一所述的一种半导体器件的制造设备，其特征在于：所述抽真空装置包括设置在夹具轨道中央的通孔，所述通孔的底部连接有真空泵，所述夹具轨道的末端设有抽真空位置传感器。

6.根据权利要求5所述的一种半导体器件的制造设备，其特征在于：所述夹具包括管状支撑体，所述管状支撑体沿轴向方向的一端固定连接有盖板，所述盖板上设有若干个阶梯通孔，所述阶梯通孔靠近管状支撑体的一端设置在管状支撑体径向横截面内，每个所述阶梯通孔的直径均沿远离管状支撑体一端到靠近管状支撑体一端的方向依次减小，所述阶梯通孔的边缘上设有定位卡口，所述盖板面积大于管状支撑体的径向截面面积，使盖板的四周形成凸边。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤，

步骤一，将夹具盒内装有半导体器件的夹具分别通过机械手放入固晶机的上料机构的料盒；

步骤二，料盒升起将夹具送入轨道，预热位置传感器检测到夹具，轨道停止，并对夹具进行加热，当预热温度传感器检测到预热温度达到阈值温度时，停止加热，并重新启动轨道；

步骤三，当抽真空位置传感器检测到夹具时，轨道停止，定位结构升起，真空泵开始抽真空，达到阈值压强时，停止抽真空；

步骤四，对夹具上的电子器件进行贴片，贴片完成后，定位结构下降，夹具内压强恢复，将夹具送入下料机构的料盒；

步骤五，重复步骤一至步骤四直至夹具盒内夹具全部贴片完成，并将夹具盒送入烘烤箱进行烘烤；

步骤六，将烘烤后的夹具盒送入与固晶机有相同轨道的金丝球焊机完成打线过程；

步骤七，将完成打线过程的夹具盒送至封冒机中进行封冒处理完成整个制造过程。

8.根据权利要求7所述的一种半导体器件的制造方法：所述步骤二中阈值温度为110℃至130℃，所需的预热时间为2min至4min。

9.根据权利要求7所述的一种半导体器件的制造方法：所述步骤三中阈值压强为16Kpa至81Kpa。

10.根据权利要求7至9任一所述的一种半导体器件的制造方法：所述步骤二中的温度传感器的检测精度为正负1℃，所述步骤二中预热位置传感器和步骤三中抽真空位置传感器的检测精度为正负1mm。