[发明专利]一种芯片集成单元的制备方法有效
| 申请号： | 201310389285.8 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103433450A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 翟彦博;郑应彬;马永昌;马秀腾;刘军 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | B22D13/00 | 分类号： | B22D13/00;B22D27/02;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 集成 单元 制备 方法 | ||
1.一种芯片集成单元的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
步骤1，采用搅拌法制备复合材料浆料并将复合材料浆料加热；
步骤2，将型芯摆放在铸型内，并和铸型一起预热后安装在离心铸造机上；
步骤3，开启离心铸造机并进行浇注，浇注完毕后，开启电磁场发生器产生电磁场，进行毛坯成形，成形完毕后，关闭离心铸造机与电磁场发生器，取出铸件并切割，形成电子封装零件毛坯；
步骤4，将单个零件毛坯切开并去除芯型，然后进行机械加工获得两个具有引线孔的矩形电子封装零件；
步骤5，将电子芯片装入封装零件，同时将数据线从引线孔引出，然后将两个矩形电子封装零件装配在一起形成芯片集成单元。
2.如权利要求1所述的芯片集成单元的制备方法，其特征在于：所述步骤1中复合材料浆料选用Al-Si系合金为基体合金，增强颗粒为SiC颗粒。
3.如权利要求2所述的芯片集成单元的制备方法，其特征在于：所述SiC颗粒的粒径在5—80μm之间。
4.如权利要求2或3所述的芯片集成单元的制备方法，其特征在于：所述SiC颗粒的体积分数为复合材料浆料的20%-40%。
5.如权利要求1所述的芯片集成单元的制备方法，其特征在于：所述步骤3中磁场的方向与离心铸型轴线方向垂直或者平行。
6.如权利要求1所述的芯片集成单元的制备方法，其特征在于：所述电磁场的强度为0.01～0.5T。
7.如权利要求1所述的芯片集成单元的制备方法，其特征在于：所述铸型由不导磁材料构成。
8.如权利要求1所述的芯片集成单元的制备方法，其特征在于：所述铸型的预热温度为300-450℃。
9.如权利要求1所述的芯片集成单元的制备方法，其特征在于：所述复合材料浆料加热的温度为680-780℃。
10.如权利要求1所述的芯片集成单元的制备方法，其特征在于：所述步骤3中离心铸造机的转速为1000-4000r/min。
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