[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法。

背景技术

目前，随着液晶显示技术的发展，液晶显示装置对高透过率、宽视角等特性的要求越来越高。

高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension S阵列基板itch，AD-SDS，简称ADS），其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

如图1所示，现有ADS模式的液晶显示装置中包括公共电极1和与公共电极1相对应的像素电极2，公共电极1和像素电极2之间具有绝缘层3。其中的公共电极1为板状电极，像素电极2为多个呈条形且间隔地交替分布的正电极和负电极。工作时，相邻的像素电极之间存在电压差，像素电极2与公共电极1之间也存在电压差。

现有ADS模式的液晶显示装置中，由于公共电极1与像素电极2相对应，且公共电极1为板状电极，这样公共电极1与像素电极2之间的作为存储电容Cst值较大。在Cst值较大的情况下,会对像素的充电带来负担。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法，能够减小像素充电的负担，有利于节省电能。

为解决上述技术问题，本发明的实施例一种阵列基板采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括：位于像素区域内的像素电极，和对应于像素区域的公共电极；在公共电极和像素电极之间具有第一钝化层；所述像素电极为多个呈条形且间隔地交替分布的第一像素电极和第二像素电极；所述公共电极为多个相互间隔地分布的条形公共电极；其中，多个条形的第一像素电极的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极的一端相连形成梳状；梳状的第一像素电极与梳状的第二像素电极相间隔。

其中，所述条形公共电极的布置方向与条形的第一像素电极和第二像素电极的布置方向相同；并且

每个条形公共电极与相邻的条形的第一像素电极和条形的第二像素电极之间的间隙相对应，每个条形的第一像素电极或条形的第二像素电极与相邻的两个条形公共电极之间的间隙相对应。

优选的，所述阵列基板还包括数据线；

所述公共电极位于数据线上方，并且多个条形公共电极中的一条对应设置于数据线的上方；

在所述条形公共电极和所述数据线之间具有第二钝化层。

优选的，所述第二钝化层为树脂材料。

优选的，对应设置于数据线上方的条形公共电极的宽度大于所述数据线的宽度。

优选的，所述数据线上方的条形公共电极的宽度大于其它条形公共电极的宽度。

优选的，所述像素电极设置于所述公共电极的上方或者下方。

本发明的实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在形成有薄膜晶体管的基板上形成第一钝化层；

在形成有所述第一钝化层的基板上形成公共电极层；

将所述公共电极层制作成多个相互间隔地分布的条形公共电极。

优选的，上述方法中，在形成有所述第一钝化层的基板上形成公共电极层后还包括：

在形成有所述条形公共电极的基板上形成第二钝化层；

在形成有第二钝化层的基板上形成呈条形且间隔地交替排列的第一像素电极和第二像素电极的图形；其中

多个条形的第一像素电极的图形的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极的图形的一端相连形成梳状；梳状的第一像素电极的图形与梳状的第二像素电极的图形相间隔。

优选的，所述在形成有所述第一钝化层的基板上形成公共电极层前还包括：

在形成有所述第一钝化层的基板上形成呈条形且间隔地交替排列的第一像素电极和第二像素电极的图形；其中，多个条形的第一像素电极的图形的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极的图形的一端相连形成梳状，梳状的第一像素电极的图形与梳状的第二像素电极的图形相间隔；

在形成有所述呈条形且间隔地交替排列的第一像素电极和第二像素电极的图形的基板上，形成第三钝化层；

在形成有所述第三钝化层的基板上形成所述公共电极层。