[发明专利]一种GTR-KTP晶体的制备方法

权利要求书

1.一种GTR-KTP晶体的制备方法，其特征是，包括步骤如下：

（1）将KH₂PO₄用蒸馏水溶解，用超细膜过滤装置过滤，通过低温溶液法生长出高纯KH₂PO₄晶体料；

（2）将步骤（1）得的KH₂PO₄材料与K₂CO₃、TiO₂按质量比8:1:1的比例混合后，搅拌均匀放入铂金坩埚中，炉体内无杂质气氛升温到1000℃将原料熔化反应，反应时间18～24h，升温至1100℃烧料24～36hh，然后恒温1100℃搅拌36～48h，形成均匀稳定的高温溶液；

（3）采用顶端与提拉相结合的方法生长的GTR-KTP晶体：将高温溶液晶体在转动、提拉中降温，起始温度910±20℃，分前期和后期，前期的降温速度、提拉速率均小于后期的，整个生长周期降温200±20℃，周期长70-90天，晶体转动速率40～50rpm。

2.根据权利要求1所述的一种GTR-KTP晶体的制备方法，其特征是，步骤（1）中KH₂PO₄用蒸馏水溶解的质量浓度范围为50～60%。

3.根据权利要求1所述的一种GTR-KTP晶体的制备方法，其特征是，步骤（2）所述的炉体内无杂质气氛为炉体内炉膛用铂金覆盖形成超环境。

4.根据权利要求1所述的一种GTR-KTP晶体的制备方法，其特征是，步骤（3）所述的前期降温0.5℃～1℃/天，提拉速率0.1mm～0.2mm/天，时间30-35天；后期降温2℃～3℃/天，提拉速率0.3mm～0.5mm/天，时间40-55天。

5.根据权利要求1所述的一种GTR-KTP晶体的制备方法，其特征是，所述的转动方式为：正转90s、反转90s、停转15s，循环，前后期转动方式相同。

6.权利要求1所述的方法制备的抗灰迹晶体。

7.根据权利要求6所述的抗灰迹晶体，其特征是，KTiOPO₄和K₆P₄O₁₃的质量比为40%。