[发明专利]一种单粒子效应试验芯片的开孔方法在审
| 申请号： | 201310389464.1 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104425238A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李志刚;卢狄克;欧毅;欧文;刘刚;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 效应 试验 芯片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单粒子效应试验芯片的开孔方法，其特征在于，包括步骤：
将芯片的封装壳开封，以暴露芯片的基底；
利用胶带在芯片的基底上形成掩膜层；
进行气相刻蚀，以去除掉预定深度的基底；
去除掩膜层。
2.根据权利要求1所述的开孔方法，其特征在于，进行气相刻蚀的具体步骤为：采用刻蚀气体进行两阶段的刻蚀，其中，进行第一阶段刻蚀之后，根据刻蚀深度确定第二阶段的刻蚀时间进行刻蚀。
3.根据权利要求2所述的开孔方法，其特征在于，采用XeF2气体进行两阶段的刻蚀。
4.根据权利要求1所述开孔方法，其特征在于，进行气相刻蚀的具体步骤为：在预定时间内进行一次刻蚀，以去除预定深度的基底。
5.根据权利要求1所述的开孔方法，其特征在于，进行气相刻蚀的具体步骤为：所述基底为SOI衬底，刻蚀至SOI的埋氧层时，停止刻蚀。
6.根据权利要求1所述的开孔方法，其特征在于，胶带为PI胶带。
7.根据权利要求1所述的开孔方法，其特征在于，在去除芯片的封装壳之前，形成掩膜层之后，还包括步骤：进行芯片的清洗。
8.根据权利要求1所述的开孔方法，其特征在于，在进行刻蚀之前，还包括步骤：去除基底的自然氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
