[发明专利]一种IGBT的制造方法

权利要求书

1.一种IGBT的制造方法，其特征在于，其包括：

提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体晶片，在所述半导体晶片的第一表面上进行杂质注入以形成第一导电类型或第二导电类型的导电层；

在所述第一导电类型或第二导电类型的导电层的表面形成间隔的凹槽；

在所述凹槽内填充第二导电类型或第一导电类型的半导体材料以形成通道，其中所述通道的导电类型与所述导电层的导电类型不同，此时所述通道和所述导电层间隔交错排布；

在所述导电层和通道上形成氧化层；

在所述氧化层上键合衬底半导体晶片;

自所述半导体晶片的第二表面减薄所述半导体晶片，并将减薄后的第一导电类型的半导体晶片作为漂移区；

基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；

去除所述衬底半导体晶片；

去除所述氧化层；

在所述通道和导电层上形成背面金属电极，该背面金属电极与所述通道和导电层电性接触。

2.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，提供的所述半导体晶片的厚度为200-700um，电阻率为5～500Ω*cm。

3.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，在所述半导体晶片的第一表面上注入导电层的注入剂量为1E13～1E20cm^-2，能量为30～200KEV。

4.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，通过光刻、蚀刻工艺在所述第一导电类型或第二导电类型的导电层的表面形成间隔的凹槽。

5.根据权利要求4所述的IGBT的制造方法，其特征在于，所述凹槽的深度为0.5～50um。

6.根据权利要求4所述的IGBT的制造方法，其特征在于，在填充第二导电类型或第一导电类型的半导体材料后，通过高温步骤使填充的半导体材料变成单晶硅，随后通过化学机械抛光工艺平整所述衬底的第一表面。

7.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，通过热氧化或CVD方式在所述导电层和通道上形成氧化层，所述氧化层的厚度为0.01-5um。

8.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，在所述氧化层上键合的所述衬底半导体晶片的厚度为50-650um。

9.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，在基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构前，所述制造方法还包括：

通过CMP或湿法腐蚀方式平坦对所述减薄的所述半导体晶片的第二表面。

10.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，所述衬底半导体晶片的厚度和所述键合形成的漂移区的厚度的和为正常流通半导体晶片厚度。