[发明专利]高分子DNA纳米薄膜及制备方法

权利要求书

1.高分子DNA纳米薄膜制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

1）基板表面羟基化和氨基化处理；

2）配制DNA水溶液；

3）将DNA水溶液稀释后涂布于基板表面，形成DNA纳米薄膜。

2.如权利要求1所述的高分子DNA纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1）包括：

1.1）基板预处理—羟基化：强氧化剂溶液清洗基板，去除表面残留有机物和杂质，将基板表面羟基化；

1.2）基板的修饰—氨基化：将羟基化预处理后的基板以3-氨丙基三甲氧基硅烷修饰使基板表面氨基化。

3.如权利要求2所述的高分子DNA纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.1）为：

首先，将基板置入丙酮溶液中，同时用超声波对置于丙酮溶液中的基板清洗5～15min；

其次，将清洗过的基板置入加热的强氧化溶液中，以去除基板表面残留的有机物和使基板表面发生羟基化；强氧化溶液使用浓硫酸和浓度为30%的H₂O₂，按H₂SO₄:H₂O₂=1:3～1:7的体积比配比配制；

最后，清水冲洗基板表面。

4.如权利要求2所述的高分子DNA纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.2）为：

首先，将3-氨丙基三甲氧基硅烷按体积比1:3～1:5的比例缓慢加入纯乙醇溶液中，混合均匀得到混合溶液；

其次，将预处理好的基板用水和乙醇各清洗一遍后，没入培养皿中硅烷偶联剂稀释液中不少于6小时；

最后，用乙醇清洗干净后待用。

5.如权利要求2所述的高分子DNA纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.2）为：

首先，按3-氨丙基三甲氧基氧烷、浓度为28%的氨水及乙醇按1:2:5的体积配比制备混合溶液；

其次，将预处理好的基板用水和乙醇各清洗一遍后，没入培养皿中硅烷偶联剂稀释液中不少于6小时；

最后，用乙醇清洗干净后待用。

6.如权利要求2所述的高分子DNA纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤2中，DNA水溶液浓度不超过1×10^-3M，配制时选择磁力搅拌器以小于350转/min的速度溶解不少于8小时，DNA水溶液配制好后保存于4℃的环境中待用。

7.如权利要求2所述的高分子DNA纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤3中，DNA溶液浓度优选范围为1×10^-5M～1×10^-6M。

8.如权利要求4所述的高分子DNA纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为氨丙基三乙氧基硅烷、缩水甘油迷氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、巯丙基三甲(乙)氧基硅烷、乙二胺丙基三乙氧基硅烷或乙二胺丙基甲基二甲氧基硅烷。

9.如权利要求4所述的高分子DNA纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述基板为Si基板、二氧化硅基板、ITO玻璃或Al₂O₃玻璃板。

10.采用权利要求1的高分子DNA纳米薄膜制备方法制备得到的高分子DNA纳米薄膜。