[发明专利]一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法

权利要求书

1.一种多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 

1】采用两种不同成分的靶材，其中一种靶材的成分为具有半导体特性的金属氧化物，或与该金属氧化物对应的金属；另一种靶材的成分为可溶于水的盐类。将此两种靶材通过共溅射法在基底表面同时或交替沉积薄膜，预制成具有氧化物/可溶盐两种晶相的复合纳米薄膜。 

2】对步骤1】所得到的复合纳米薄膜进行水洗，使可溶盐溶解，得到多孔纳米薄膜。 

2.根据权利要求1所述的多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属氧化物靶材为ZnO、SnO₂或TiO₂，对应的金属为Zn、Sn或Ti，所述可溶盐类可以为NaCl、KCl或CaCl₂等。 

3.根据权利要求1所述的多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于：所述共溅射法可为磁控溅射法、离子束溅射沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或者两种以上共沉积。 

4.根据权利要求1所述的多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于：溅射过程中，造孔剂不与氧化物反应、不固溶，或者固溶后对氧化物导电性不造成负面影响。 

5.根据权利要求3所述的多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于：组成步骤1】中所形成复合薄膜的两种组份的物质的量之比可以通过各自靶材的溅射功率调控。 

6.据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所制备的薄膜晶粒和孔径在纳米级，孔隙度在0-40%范围内可控，薄膜厚度在50-1000nm可调。 

7.根据权利要求1所述的多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤2】之后还包括将多孔纳米薄膜烘干、退火的步骤。