[发明专利]RC振荡器

权利要求书

1.一种RC振荡器，包括工作电压、基准电路模块、第一P沟道MOS管、第三P沟道MOS管、第四P沟道MOS管、振荡核心逻辑电路、第一放电开关、第二放电开关、第一时序电容和第二时序电容；基准电路模块设有基准电压输出端和电路输出端；振荡核心逻辑电路设有第一比较输入端、第二比较输入端、基准电压输入端、第一控制信号输出端、第二控制信号输出端和时钟信号输出端；电路输出端连接第一P沟道MOS管的漏端，第一P沟道MOS管的源极连接工作电源，第一P沟道MOS管的栅极和漏极相连；第三P沟道MOS管的源极、第四P沟道MOS管的源极均连接工作电源，第三P沟道MOS管的栅极、第四P沟道MOS管的栅极均连接第一P沟道MOS管的栅极，第三P沟道MOS管的漏极、第一比较输入端、第一放电开关的第一端均连接第一时序电容的正端，第一时序电容的负端接地；第四P沟道MOS管的漏极、第二比较输入端、第二放电开关的第一端连接第二时序电容的正端，第二时序电容的负端接地；第一控制信号输出端、第二控制信号输出端分别对应控制连接第一放电开关、第二放电开关；

其特征在于，

还包括第二P沟道MOS管、压降模块、第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第三N沟道MOS管、电阻Rs1、退化电阻Rs2和退化电阻Rs3；第二P沟道MOS管的源极连接工作电源，第二P沟道MOS管的栅极连接第一P沟道MOS管的栅极，第二P沟道MOS管的漏极通过压降模块连接第一N沟道MOS管的漏极，第一N沟道MOS管的源极通过电阻Rs1接地，第一N沟道MOS管的栅极和漏极连接；第二N沟道MOS管的栅极、第三N沟道MOS管的栅极均连接第一N沟道MOS管的栅极，第二N沟道MOS管的源极通过退化电阻Rs2接地，第二N沟道MOS管的漏极连接第一放电开关的第二端，第三N沟道MOS管的源极通过退化电阻Rs3接地，第三N沟道MOS管的漏极连接第二放电开关的第二端。

2.根据权利要求1所述的RC振荡器，其特征在于，所述第三P沟道MOS管的漏极与所述第一时序电容的正端之间串接有补偿电阻Rs4，所述第四P沟道MOS管的漏极和所述第二时序电容的正端之间串接有补偿电阻Rs5。

3.根据权利要求2所述的RC振荡器，其特征在于，补偿电阻Rs4与补偿电阻Rs5为相同的元件。

4.根据权利要求1所述的RC振荡器，其特征在于，电阻Rs1、退化电阻Rs2、退化电阻Rs3采用同一类型的正温度系数的电阻实现。

5.根据权利要求1所述的RC振荡器，其特征在于，电阻Rs1、退化电阻Rs2、退化电阻Rs3均由同一类型的正温度系数的有源阻抗元件实现。

6.根据权利要求1所述的RC振荡器，其特征在于，退化电阻Rs2与退化电阻Rs3为相同的元件，第二N沟道MOS管与第三N沟道MOS管为相同的元件，第三P沟道MOS管与第四P沟道MOS管为相同的元件。

7.根据权利要求1所述的RC振荡器，其特征在于，所述振荡核心逻辑电路包括第一比较器、第二比较器、第一或非门、第二或非门、第一非门、第二非门、缓冲器，第一比较器的负输入端和第二比较器的负输入端相互连接并作为基准电压输入端连接基准电压输出端，第一比较器的正输入端连接第一时序电容的正端，第二比较器的正输入端连接第二时序电容的正端，第一比较器的输出端连接第一或非门的第一输入端，第二比较器的输出端连接第二或非门的第一输入端，第一或非门的输出端连接第二或非门的第二输入端、第一非门的输入端，第二或非门的输出端连接第一或非门的第二输入端，第一非门的输出端连接第二非门的输入端，第二非门的输出端连接缓冲器的输入端，第一非门的输出端作为第一控制信号输出端，第二非门的输出端作为第二控制信号输出端。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的RC振荡器，其特征在于，所述基准电路模块包括电阻Rv1、电阻Rv2和隔离电流源，电阻Rv1的第二端依次通过电阻Rv2、隔离电流源接地，电阻Rv1的第一端作为电路输出端连接第一P沟道MOS管Mp1的漏端，电阻Rv1的第二端作为基准电压输出端。