[发明专利]非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201310390574.X | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104425255A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 周东飞;邓小社;王根毅;钟圣荣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/324 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非穿通型 绝缘 双极晶体管 制造 方法 | ||
1.一种非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括如下步骤：
提供N型硅片；
在所述硅片正面生长形成氧化层作为保护层；
在所述硅片背面进行P型离子注入；
对所述硅片进行退火处理以推阱；其中退火温度大于500摄氏度；
去除所述硅片正面的氧化层，并在所述硅片正面形成非穿通型绝缘栅双极晶体管的正面结构；
在所述硅片正面和背面进行金属化。
2.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述硅片的厚度为350～500微米。
3.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述P型层采用离子注入方式形成，注入离子为硼。
4.根据权利要求3所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，在所述硅片正面生长形成氧化层作为保护层后，将硅片翻转，采用正面注入机台进行离子注入。
5.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，在所述硅片背面进行P型离子注入之后，在所述硅片背面淀积多晶硅层。
6.根据权利要求5所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为6300～7700埃。
7.根据权利要求6所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，在所述硅片进行退火处理以推阱的步骤之后，去除所述多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除所述晶硅层。
9.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述退火温度大于800摄氏度。
10.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，采用湿法去除所述硅片正面的氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
