[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

所述衬底上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；

所述第三绝缘膜上的透光像素电极；

晶体管，包括：

栅电极；

所述栅电极上的所述第一绝缘膜；以及

所述第一绝缘膜上的重叠于所述栅电极的半导体膜，该半导体膜电连接于所述像素电极；

电容元件，包括：

所述第一绝缘膜上的用作第一电容电极的能够导电的透光膜；

所述第一电容电极上的用作电容介电膜的所述第二绝缘膜的一部分及所述第三绝缘膜的一部分；以及

所述电容介电膜上的用作第二电容电极的所述像素电极，

其中，所述第二绝缘膜及所述第三绝缘膜覆盖所述半导体膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘膜包括通过使用含有硅的沉积气体及氧化气体的化学气相沉积法形成的第一氧化绝缘膜，

并且所述第三绝缘膜是通过使用有机硅烷气体的化学气相沉积法形成的第二氧化绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中在包括在所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的区域中部分地蚀刻所述第一绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中在包括在所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的区域中部分地蚀刻所述第二绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一电容电极及所述半导体膜由同一个膜形成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一电容电极及所述半导体膜由氧化物半导体膜形成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一电容电极及所述半导体膜由氧化物半导体膜形成，

并且所述第一电容电极的导电率比所述半导体膜的导电率高。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括电容线，

其中所述能够导电的透光膜包含半导体材料，

并且所述半导体装置当使用时施加到所述电容线的电位始终比施加到所述像素电极的电位低所述电容元件的阈值电压以上。

9.一种包括根据权利要求1所述半导体装置的显示装置。

10.一种包括根据权利要求1所述半导体装置的电子设备。

11.一种半导体装置，包括：

衬底；

所述衬底上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；

所述第三绝缘膜上的透光像素电极；

晶体管，包括：

栅电极；

所述栅电极上的所述第一绝缘膜；以及

所述第一绝缘膜上的重叠于所述栅电极的金属氧化物半导体膜，该金属氧化物半导体膜电连接于所述像素电极；

电容元件，包括：

所述第一绝缘膜上的用作第一电容电极的能够导电的透光膜；

所述第一电容电极上的用作电容介电膜的所述第二绝缘膜的一部分及所述第三绝缘膜的一部分；以及

所述电容介电膜上的用作第二电容电极的所述像素电极，

其中，所述金属氧化物半导体膜及所述第一电容电极由同一个膜形成，

所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜分别包含直接接触于所述金属氧化物半导体膜的第一氧化绝缘膜及第二氧化绝缘膜，

并且，所述第二绝缘膜及所述第三绝缘膜覆盖所述金属氧化物半导体膜。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，

其中所述第一氧化绝缘膜通过使用含有硅的沉积气体及氧化气体的化学气相沉积法形成，

并且所述第三绝缘膜是通过使用有机硅烷气体的化学气相沉积法形成的第三氧化绝缘膜。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘膜包含所述第一氧化绝缘膜下的氮化绝缘膜，

并且所述第一电容电极接触于所述氮化绝缘膜。