[发明专利]金属硅化物阻挡层的表面处理方法无效
| 申请号： | 201310391724.9 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103451620A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;张景春;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 阻挡 表面 处理 方法 | ||
1.一种金属硅化物阻挡层的表面处理方法，应用于自对准工艺中，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
于所述衬底的上表面制备一金属硅化物阻挡层；
对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺，以去除所述金属硅化物阻挡层中的杂质；
旋涂光刻胶覆盖所述金属硅化物阻挡层的上表面；
继续后续的自对准硅化物工艺步骤。
2.如权利要求1所述的金属硅化物阻挡层的表面处理方法，其特征在于，所述后续的自对准硅化物工艺包括：
对所述光刻胶进行曝光、显影工艺后，去除多余光刻胶，形成光阻图案；
以所述光阻图案为掩膜刻蚀所述金属硅化物阻挡层至所述衬底的上表面。
3.如权利要求1所述的金属硅化物阻挡层的表面处理方法，其特征在于，采用N2等离子体对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺。
4.如权利要求3所述的金属硅化物阻挡层的表面处理方法，其特征在于，在气体流量为1000sccm~10000sccm、射频功率为100W~2000W的工艺条件下对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺。
5.如权利要求3所述的金属硅化物阻挡层的表面处理方法，其特征在于，对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺的工艺时间为20s~120s。
6.如权利要求1所述的金属硅化物阻挡层的表面处理方法，其特征在于，所述衬底包括硅基底和二氧化硅层，所述二氧化硅层覆盖所述硅基底的上表面，所述金属硅化物阻挡层覆盖所述二氧化硅层的上表面。
7.如权利要求1所述的金属硅化物阻挡层的表面处理方法，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层的材质为氮化硅。
8.如权利要求1所述的金属硅化物阻挡层的表面处理方法，其特征在于，在同一腔室内，依次进行所述金属硅化物阻挡层的制备工艺和对该金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
