[发明专利]一种加速度传感器芯片生产校验补偿方法有效

专利信息
申请号: 201310391921.0 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN103454453A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 徐君燕;卜建荣;李时辉;姜磊 申请(专利权)人: 浙江工业职业技术学院
主分类号: G01P21/00 分类号: G01P21/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 312000 *** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 加速度 传感器 芯片 生产 校验 补偿 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路制造领域,尤其涉及一种加速度传感器芯片生产校验补偿方法。

背景技术

加速度传感器芯片应用广泛,特别是消费电子领域,原理十分简单,但是加工制造工艺的要求非常高,产品的个体特性差异比较大,需要对每一片芯片进行特性分析,对其各参数进行校验,并对其进行补偿,所以需要一种技术对其分析出补偿参数,写入到加速度传感器芯片内的存储区,加速度传感器芯片每次上电运行都会从加速度传感器芯片内的存储区中读取补偿参数来补偿偏差。这样的话必定使生产这种加速度传感器芯片内的存储区的测试成本上升,降低单位芯片的测试成本显得尤其重要,所以设计一种实现批量的加速度传感器芯片生产校验补偿的必然需求,以此来增强加速度传感器芯片产品的竞争力。

发明内容

针对上述技术缺陷,本发明提出一种加速度传感器芯片生产校验补偿方法。

为了解决上述技术问题,本发明的技术方案如下:

一种加速度传感器芯片生产校验补偿方法,包括如下步骤:

11)将校准过的成品加速度传感器芯片和待测加速度传感器芯片组排列放置在测试旋转转台上;

12)将待测加速度传感器芯片组静态放置,分别读取加速度传感器芯片的ADC输出;

所述加速度传感器芯片的ADC输出为

M=K1(N+K2*A)+K3*B    (a)

所述M为加速度传感器芯片的标准输出,其中A,B两个参数补偿系数,为工艺和设计上的固定值,N为测试旋转转台上的加速度的实际输出,K1,K2,K3为这个校正补偿的三个补偿值:

设K1=1,K2=0,得到M=N+K3*B;

13)测得步骤12)中的M数值,得到K3的补偿值:把得到的K3的补偿值分别写入到加速度传感器芯片组补偿参数存储区,上电重新运行加速度传感器芯片;通过K3校准测试后,此时加速度传感器芯片的ADC的输出可表示

M=K1*N    (b)

14)把经过步骤13)的K3校准测试后的待测加速度传感器芯片组平台放在旋转转台水平绕转台轴旋转,这时由旋转转台产生一定的角速度,此时分别读取待测加速度芯片传感器的ADC输出M和测试旋转转台上的加速度的实际输出N,根据公式c计算出校准的值并写入待测加速度芯片传感器的中的K1f补偿参数存储区中,

K1f=50*K1=50*M/N    (c)

所述K1f为K1放大了50倍;

上电重新运行,然后再在该加速度下重新读取ADC的输出,判断校准是否正确,如果校准不正确,则认为该颗MEMS电路失效:假设校准正确,则进入步骤15)经过K1校验后,此时加速度传感器芯片的ADC的输出可表示

M=N+K2    (d)

15)如果经过K1校验过的曲线没有经过原点,需要微调,使其校检过的曲线经过原点,把K1校准测试后测试加速度传感器芯片组平台静止放置,根据公式dK2=M-N,把这K2写入待测加速度芯片传感器芯片中的K2补偿参数存储区中,上电重新运行,然后再在这个加速度下去读取ADC的输出,看看校准是否正确,如果不正确则认为该颗加速度传感器芯片失效。

16)调整加速度传感器芯片的放置位置,重复步骤11)~步骤15),对加速度传感器芯片的另两个轴进行校检。

本发明的有益效果在于:加速度传感器芯片生产校验补偿方法旨在用于加速度传感器芯片批量生产测试。加速度传感器芯片生产校验补偿方法是用校准过的成品加速度传感器芯片做参考,成品加速度传感器芯片和待测成品矩阵排列放在特定旋转转台以特定的状态运行环境下,通过采样对加速度传感器芯片的ADC输出,并与参考加速度传感器芯片的输出作对比和运算,将要校准的参数写入待测加速度传感器芯片内的存储区,再读取加速度传感器芯片的ADC输出,再对比判断该待测成品是否校准成功,如果校准不成功,则当该颗待测成品为失效电路。测试设备根据该方法一次能够并行测试多颗电路。

附图说明

图1为未校验K3x的曲线;

图2为校验K3x但未校验K1x的曲线;

图3为校验K1x但未校验K2x的曲线;

图4为校验K2x的曲线。

具体实施方式

下面将结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明。

一、本发明的功能和要求:

1、该方法能够同时并测多颗加速度传感器芯片;

2、运算校准功能,能够对每颗加速度传感器芯片电路作对比、校准、再对比操作;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业职业技术学院,未经浙江工业职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310391921.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top