[发明专利]基于有源电感实现的半有源片上电感

权利要求书

1.基于有源电感实现的半有源片上电感，包括一个片上无源电感、一个负阻结构单元和一个有源电感单元三个部分：其中，

所述的片上无源电感的一端为输入端，另一端接地；

所述的负阻结构单元是一个二端口电路，端口1接输入端，端口2接有源电感单元的输入端；

所述的有源电感单元为单端输入有源电感，有源电感的输入端与负阻结构单元的端口2相连接。

2.根据权利要求1所述的基于有源电感实现的半有源片上电感，其特征在于，所述的片上无源电感形状为方形，包括硅衬底、绝缘层、平面螺旋电感底层金属层、通孔、平面螺旋电感金属层；其中：

所述的硅衬底上生长有螺旋电感的绝缘层；

所述的绝缘层上镀有金属薄膜，金属薄膜上刻蚀有平面螺旋电感底层的金属层；

所述的平面螺旋电感的底层金属层上沉积有绝缘层，绝缘层中刻蚀有通孔，绝缘层上镀金属薄膜，金属薄膜上刻蚀有平面螺旋电感金属层；

所述的通孔的形状为方形，通孔内沉积金属，通孔内的金属连通平面螺旋电感的底层金属层和平面螺旋电感金属层；

所述的平面螺旋电感金属层为方形线圈的金属层。

3.根据权利要求1所述的基于有源电感实现的半有源片上电感，其特征在于：所述的负阻结构单元包括一个npn型晶体管Q1、一个MOS管M1；其中：

所述的npn型晶体管Q1的基极接负阻结构单元的端口1，集电极接电源，发射极接MOS管M1的漏极；

所述的MOS管M1的栅极接npn型晶体管Q1的发射极，源极接负阻结构单元的端口2。

4.根据权利要求1所述的基于有源电感实现的半有源片上电感，其特征在于：所述的有源电感单元包括两个npn型晶体管Q2、Q3、两个偏置电流源I1、I2；所述的npn型晶体管Q2的基极连接有源电感单元的输入端，npn型晶体管Q2的发射极接地，npn型晶体管Q2的集电极接偏置电流源I1的正极，npn型晶体管Q2的基极接npn型晶体管Q3的发射极；所述的npn型晶体管Q3的发射极接偏置电流源I2的负极，npn型晶体管Q3的集电极接电源，npn型晶体管Q3的基极连接npn型晶体管Q2的集电极。