[发明专利]反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括下列步骤：

提供第一掺杂类型的硅衬底；

通过光刻和离子注入向所述硅衬底内注入第二掺杂类型的离子，在所述硅衬底的表面形成背面PN交隔结构，并清理硅衬底的表面完成去胶，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型的电性相反；

在硅衬底形成有所述背面PN交隔结构的表面通过外延工艺制备出N型的场截止层；

在所述场截止层上外延制备出N型的漂移区；包括所述第一掺杂类型的硅衬底、PN交隔结构、场截止层及漂移区的硅片总厚度与常规流通硅片的厚度一致；

采用绝缘栅双极型晶体管正面工艺在所述漂移区内和漂移区上制备出绝缘栅双极型晶体管正面结构；

将所述硅衬底减薄至所述背面PN交隔结构处；

在所述背面PN交隔结构背离所述场截止层的表面形成背面金属电极。

2.根据权利要求1所述的反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。

3.根据权利要求1所述的反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过光刻和离子注入向所述硅衬底内注入第二掺杂类型的离子的步骤中注入剂量为1*10¹³～1*10²⁰/平方厘米，注入能量为30千电子伏～200千电子伏。

4.根据权利要求1所述的反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述提供第一掺杂类型的硅衬底的步骤中硅衬底的厚度为100～650微米，所述场截止层的厚度为2～100微米，所述在场截止层上外延制备出N型的漂移区的步骤中漂移区的厚度为10～650微米。

5.根据权利要求1所述的反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述提供第一掺杂类型的硅衬底的步骤中硅衬底的电阻率为0.01～50欧姆*厘米，所述场截止层的电阻率为5～100欧姆*厘米，所述在场截止层上外延制备出N型的漂移区的步骤中漂移区的电阻率为5～500欧姆*厘米。

6.根据权利要求1所述的反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述在背面PN交隔结构背离所述场截止层的表面形成背面金属电极的步骤，是采用溅射工艺制备所述背面金属电极。

7.根据权利要求1所述的反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述在背面PN交隔结构背离所述场截止层的表面形成背面金属电极的步骤，是采用蒸发工艺制备所述背面金属电极。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述正面工艺是平面栅极绝缘栅双极型晶体管的正面工艺，所述反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管是平面栅极绝缘栅双极型晶体管。

9.根据权利要求1-7中任意一项所述的反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述正面工艺是沟槽栅极绝缘栅双极型晶体管的正面工艺，所述反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管是沟槽栅极绝缘栅双极型晶体管。