[发明专利]改善金属硅化物掩模层缺陷的方法有效
| 申请号： | 201310393694.5 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103456615A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;张景春;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 金属硅 化物掩模层 缺陷 方法 | ||
1.一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，应用于半导体衬底的光刻工艺中，所述半导体衬底包括硅基底、位于该硅基底表面上的栅极结构和一刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述栅极结构的表面和所述硅基底暴露的表面上，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
于所述刻蚀阻挡层的表面制备一金属硅化物掩模层；
制备氧化物层覆盖所述金属硅化物掩模层的表面；
涂覆光刻胶覆盖所述氧化物层表面，曝光、显影后，去除多余光刻胶，于所述氧化层上形成光阻图案；
以所述光阻图案为掩膜，刻蚀暴露的氧化物层至所述硅基底和所述栅极结构的表面；
去除所述光阻图案和剩余的氧化层；
制备金属层覆盖剩余的金属硅化物掩模层和暴露的半导体衬底的表面；
继续退火工艺。
2.如权利要求1所述的改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，采用化学气相沉积工艺制备所述氧化物层。
3.如权利要求1所述的改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为。
4.如权利要求1所述的改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，于所述退火工艺后去除所述金属层。
5.如权利要求1所述的改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，所述金属层的材质为NiPt。
6.如权利要求1所述的改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，金属硅化物掩模层的材质为氮化物。
7.如权利要求1所述的改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备所述金属硅化物掩模层。
8.如权利要求1所述的改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，所述硅基底中形成有非自对准多晶硅化物区、P型阱、N型阱和浅沟槽隔离区。
9.如权利要求8所述的改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，所述光阻图案盖覆盖位于所述非自对准多晶硅化物区的上方的氧化物层。
10.如权利要求1所述的改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，采用溅镀工艺制备所述金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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