[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310393830.0 申请日: 2013-09-02
公开(公告)号: CN104425396A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 林俊宏;孙得凯;陈奕廷;孙樱真;卢俊庭 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/50
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

数个互相分开的导电元件,各包括邻接的一第一导电部分与一第二导电部分;

一芯片,电性连接至该些导电元件;

一封装体,包覆该芯片与该些导电元件的该些第一导电部分;以及

数个焊料凸块,只与该些导电元件的该些第二导电部分接触。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,更包括数个电性连接件,其中该芯片通过该些电性连接件连接至该些导电元件的该些第一导电部分。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该些导电元件的该些第二导电部分突出该封装体的一下表面。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该第一导电部分与该第二导电部分连接处的一宽度是大于该第一导电部分的一上表面宽度,且大于该第二导电部分的一下表面宽度。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该导电元件的宽度是从该第一导电部分的一上表面往该第一导电部分与该第二导电部分的一连接处逐渐变大,再往该第二导电部分的一下表面逐渐变小。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该第二导电部分具有一下表面与邻接该下表面的一侧表面,该焊料凸块只与该第二导电部分的该下表面与该侧表面接触。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该些电性连接件包括导线或焊料。

8.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

数个互相分开的导电元件,各包括一第一导电部分;

数个焊料单元;

一芯片,具有数个导电柱配置于其一主动面上,其中该些焊料单元物理且电性连接该些导电柱与该些导电元件的该些第一导电部分;

一封装体,包覆该芯片、该些焊料单元与该些导电元件的该些第一导电部分;以及

数个焊料凸块,物性且电性连接该些导电元件。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于,该些导电元件各更包括一第二导电部分邻接该第一导电部分,该些焊料凸块只与该些导电元件的该些第二导电部分接触。

10.一种半导体封装结构的制造方法,其特征在于,包括:

移除一导电层的一上部分,以定义出数个导电元件各个的一第一导电部分;

利用数个电性连接件,物理并电性连接一芯片与该些第一导电部分;

利用一封装体包覆该芯片、该些电性连接件、与该些第一导电部分;

移除该导电层的一下部分,以定义出该些导电元件各个的一第二导电部分;以及

配置数个焊料凸块,该些焊料凸块只与该些第二导电部分接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310393830.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top