[发明专利]一步法吸收层后掺钠柔性太阳电池的制备方法在审
申请号: | 201310394650.4 | 申请日: | 2013-09-03 |
公开(公告)号: | CN104425649A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 赵彦民;张嘉伟;杨立;杨亦桐;王胜利;李薇;乔在祥 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一步法 吸收 层后掺钠 柔性 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一步法吸收层后掺钠柔性太阳电池的制备方法,其特征在于:包括以下制备步骤:
步骤1.制备聚酰亚胺膜-苏打玻璃构成的刚性复合衬底;
步骤2.在刚性复合衬底的聚酰亚胺膜上制备后掺钠柔性太阳电池;制备过程包括:在步骤1的聚酰亚胺膜上依次制备Mo背接触层、铜铟镓硒吸收层、氟化钠预置层、硫化镉缓冲层、透明窗口层和上电极;制有背接触层的刚性复合衬底置于薄膜制备系统的硒化炉中;将硒化炉抽真空,刚性复合衬底温度为550-580℃时,共蒸发Cu、In、Ga、Se,其中Cu蒸发源温度为1120-1160℃,In蒸发源温度为850-900℃,Ga蒸发源温度为880-920℃,Se蒸发源温度为240-280℃,蒸发时间为25-30min;关闭蒸发源,刚性复合衬底冷却到25℃时,背接触层上形成1.5-2μm厚的p-CIGS薄膜,即为铜铟镓硒吸收层;所述氟化钠预置层的制备过程包括:制有铜铟镓硒吸收层的刚性复合衬底置于薄膜制备系统的硒化炉中,将硒化炉抽真空,衬底温度为200-300℃,NaF蒸发源的温度达到800-850℃时,蒸发1-2min;衬底温度达到400-450℃,在Se气氛下进行退火,其中Se蒸发源的温度为240-280℃,退火时间为20-30min;铜铟镓硒吸收层上形成氟化钠预置层。
步骤3.将聚酰亚胺膜与苏打玻璃分离,完成刚性衬底制备一步法吸收层后掺钠柔性太阳电池的过程。
2.根据权利要求1所述的一步法吸收层后掺钠柔性太阳电池的制备方法,其特征在于:步骤1中刚性复合衬底的制备过程包括:
⑴对苏打玻璃进行表面清洗;
⑵将聚酰亚胺胶均匀涂覆于苏打玻璃表面,形成聚酰亚胺预制膜;
⑶将涂有聚酰亚胺预制膜的苏打玻璃放入烘箱内进行固化,即得到聚酰亚胺膜-苏打玻璃构成的刚性复合衬底。
3.根据权利要求1所述的一步法吸收层后掺钠柔性太阳电池的制备方法,其特征在于:步骤3中聚酰亚胺膜与苏打玻璃分离过程包括:
⑴将制有一步法吸收层后掺钠柔性太阳电池的刚性复合衬底放入真空烘箱,加热至80-90℃,持续2-3min;
⑵将刚性复合衬底取出蘸入零下100℃的液氮后,自然回复至室温,聚酰亚胺膜自动从苏打玻璃上脱落,完成刚性衬底制备一步法吸收层后掺钠柔性太阳电池的过程。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的