[发明专利]EUV用防尘薄膜组件

说明书

技术领域

本发明涉及EUV（Extreme Ultra Violet）用防尘薄膜组件，特别是涉及可以在尽量对入射的EUV光的减少进行抑制的同时，具有高强度的EUV用防尘薄膜组件。

背景技术

随着半导体装置的高度集成化，细微化的进展，现在45nm左右的图案的制作也正在实用化。对于该图案的制作，以往的用于准分子光技术的改良技术，即可以用ArF液浸法以及二重曝光等的技术变为可能。但是，对于下一代的进一步细微化的32nm以下的图案的制作，用于准分子光的曝光技术就变得难以对应。由此，使用与准分子光相比有极短波长，以13.5nm为主波长的使用EUV光的EUV曝光技术就变为必然的选择。

该EUV曝光技术的实用化，虽然已经看到进展，但是有关光源，抗蚀剂，防尘薄膜组件等，要解决的技术的课题很多。例如，有关抑制制造效率的降低的，防止在光掩模上的异物的附着的防尘用的防尘薄膜组件，还有各种要解决的问题，这些问题成为EUV用防尘薄膜组件实用上巨大的障碍。

特别是，成为问题的，不仅EUV光的透过率要高，还要没有氧化等造成的随时间的变化，适用于防尘薄膜组件的化学安定的透过膜的材料开发还没有头绪。

以往的EUV用防尘薄膜的材料，有种种问题，特别是有机材料不透EUV光，具有分解变差的问题。虽然对EUV光的波长帯具有完全的透明性的材料还不存在，但是作为比较透明的材料，有硅制的薄膜（专利文献1，非专利文献1）。

这些硅制的薄膜，从EUV光的衰减少的观点，越薄越好。但是，这些硅制的薄膜，由厚度20nm的硅和15nm的铷构成等，为纳米级的极薄膜，其非常脆，单独作为EUV用防尘薄膜组件使用是不可能的。

由此，有人建议，将所述的硅制的薄膜作为EUV用防尘薄膜组件的薄膜使用的场合，在具有使EUV光通过的开口部的同时，作为极薄膜的加固结构体，将蜂窝形状的结构体，与硅制的薄膜一体化。

例如，有人提议使用SOI（Silicon On Insulator）的EUV用防尘薄膜组件，该防尘薄膜组件，作为对EUV用防尘薄膜进行加固的蜂窝状物，具有网格结构（专利文献2）。

作为对EUV用防尘薄膜进行加固的网格结构，在所述蜂窝形状之外，还可以根据目的不同使用格子状结构，圆形以及多边形等，具有任意的形状的开口部的板状体等，即只要符合目的，可以为任何形状。然后，其强度，由网格的间距，网格的边宽，网格的边的高来决定，间距越窄，边宽越大，边越高，强度越高。

由于该网格的结构部分不透EUV光，所以为了将通过EUV用防尘薄膜组件的EUV光的衰减抑制在最小限，要将网格结构的开口率提高。但是，如所述的那样，如要将EUV用防尘薄膜的强度进行提高，就要使网格结构的开口率降低。

一般，由步进曝光装置内的光源发出的EUV光，通过步进曝光装置的光学系统在晶圆上成像，可以描绘出所期望的图案，但是如由光路上的EUV用防尘薄膜组件造成的光的减少大的话，使光源的发光强度以及反射镜的反射率或晶圆上涂布的抗蚀剂的感度増加等的补充的技术是必要的。如此，由EUV用防尘薄膜组件造成的光的减少，就会对EUV光学系统的结构要素的全体带来坏影响，由此要极力避免。

该场合，向EUV用防尘薄膜组件的入射EUV光减少的要素，为由EUV用防尘薄膜的光吸收造成的衰减和网格结构的开口率。另外，该网格结构的开口率，由构成网格结构的网格的边宽，网格的间距，网格的高等因素来决定。

在此，网格的高对网格结构的开口率有影响是由于，在EUV步进曝光装置内，光与防尘薄膜组件面的垂直方向以4°～6°的倾斜度，入射EUV用防尘薄膜组件，由此,网格的高造成的影的形成方法会发生变化的缘故。

由此，在考虑所述的各因素之上，要使用可以极力不使到达掩模的光量降低，并使EUV用防尘薄膜组件的强度加以改善的结构。

【先有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】米国专利第6,623,893号说明书

【专利文献2】日本特开2010－256434号公报

【非专利文献】

【非专利文献1】Shroff et al.“EUV pellicle Development for Mask Defect Control,”Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIE Vol.6151p.1-10(2006)