[发明专利]原子层沉积装置

权利要求书

1.一种原子层沉积装置，其包括供气管和吸气管，

该供气管具备：供给管体，在其内部沿长度方向形成有用于供给气体的供气流道；排气部，沿所述供给管体的长度方向形成于所述供给管体，并与所述供气流道连通；

该吸气管具备：吸入管体，在其内部沿长度方向形成有用于吸入气体的吸气流道；吸气部，沿所述吸入管体的长度方向形成于所述吸入管体，并与所述吸气流道连通；

所述供气管和所述吸气管在与基板对所述供气管和所述吸气管的相对运动方向交叉的方向上，彼此分开形成。

2.如权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，

所述排气部包括沿所述供给管体的长度方向形成的多个排出孔或狭缝。

3.如权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，

在所述多个排出孔中，位于所述供给管体的中间部分的排出孔尺寸大于位于所述供给管体的两端侧的排出孔。

4.如权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，

在所述多个排出孔中，位于所述供给管体的中间部分的排出孔之间的间距小于位于所述供给管体的两端侧的排出孔之间的间距。

5.如权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，

位于所述供给管体两端侧的所述狭缝的宽度小于位于所述供给管体中间部分的所述狭缝的宽度。

6.如权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，

所述排出孔或所述狭缝具有朝向所述供给管体的外部扩展的形状。

7.如权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，

所述吸气管包括吸入引导构件，该吸入引导构件以向所述吸入管体的外部延伸的方式形成在所述吸气部，所述吸入引导构件具有向所述吸入管体的外部扩展的形状。

8.如权利要求4所述的原子层沉积装置，其特征在于，

所述吸入引导构件的下端与所述排气部的下端位于同一高度。

9.如权利要求1至8中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，

所述供气管包括气阀，该气阀可旋转地设在所述供给管体的内表面，用于连通或切断所述供气流道与所述排气部。

10.如权利要求9所述的原子层沉积装置，其特征在于，

所述气阀包括沿所述供气管的长度方向形成的开放部。

11.如权利要求1至8中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，

所述供气管包括用于供给源气体的供气管和用于供给反应气体的供气管，

所述吸气管配置在供给源气体的供气管与供给反应气体的供气管之间，

在所述基板对所述供气管和所述吸气管的相对运动方向上的最外侧配置所述供气管，

所述供气管和所述吸气管沿所述基板的相对运动方向对称地配置。

12.如权利要求11所述的原子层沉积装置，其特征在于，

所述供气管包括用于供给吹扫气体的供给管，用于供给吹扫气体的供给管配置在用于供给源气体或反应气体的供气管与所述吸气管之间。

13.如权利要求1至8中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，

包括用于加热所述基板表面的加热部，所述加热部配置在基板对所述供气管和所述吸气管的相对运动方向上的所述供气管之前。

14.如权利要求1至8中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，

包括用于加热所述基板表面的常压等离子体发生器，所述常压等离子体发生器配置在基板对所述供气管和所述吸气管的相对运动方向上的所述供气管之前，或者配置在所述吸气管之间。

15.如权利要求1至8中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，

所述供气管和所述吸气管分别在常压下供给和吸入气体。