[发明专利]用于晶圆密封环的方法和装置在审
申请号: | 201310395517.0 | 申请日: | 2013-09-03 |
公开(公告)号: | CN103972144A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 邓伊筌;彭荣辉;蔡尚颖;黄信锭;洪丽闵;黄耀德;卓晋逸 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/76 | 分类号: | H01L21/76;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 密封 方法 装置 | ||
1.一种方法,包括:
在第一晶圆的管芯区域中,在所述第一晶圆上形成多个第一管芯;
在所述第一晶圆上形成多个第一管芯接合环,所述多个第一管芯接合环具有第一宽度和第一间隔;以及
在所述第一晶圆的密封环区域中,在所述第一晶圆上形成第一晶圆密封环,所述第一晶圆密封环包括多条具有第二宽度和第二间隔的线,其中所述多个第一管芯接合环的第一宽度和第一间隔的截面约等于所述第一晶圆密封环的第二宽度和第二间隔的截面。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个第一管芯接合环形成为具有第一高度并且所述第一晶圆密封环形成为具有第二高度,所述第一高度约等于第二高度。
3.一种方法,包括:
在基本上整个第一晶圆上形成多个第一管芯;
在所述第一晶圆上形成多个第一管芯接合环,所述多个第一管芯接合环具有第一宽度和第一间隔;以及
在基本上整个所述第一晶圆上形成第一晶圆密封环,所述第一晶圆密封环包括多条具有第二宽度和第二间隔的线,其中所述多个第一管芯接合环的第一宽度的截面约等于所述第一晶圆密封环的第二宽度的截面。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,沿所述第一晶圆的多条划线形成所述第一晶圆密封环。
5.一种方法,包括:
在第一晶圆上形成第一晶圆密封环,所述第一晶圆密封环具有多条第一线,所述多条第一线具有第一宽度和第一间隔;
在第二晶圆上形成第二晶圆密封环,所述第二晶圆密封环具有多条第二线,所述多条第二线具有第二宽度和第二间隔,所述第二宽度和所述第二间隔约等于所述第一宽度和所述第一间隔;
将所述第一晶圆对准至所述第二晶圆;以及
将所述第一晶圆接合至所述第二晶圆。
6.根据权利要求5所述的方法,所述接合进一步包括:
对所述第一晶圆和所述第二晶圆施加压力。
7.根据权利要求5所述的方法,所述接合进一步包括:
对所述第一晶圆和所述第二晶圆施加热。
8.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一晶圆密封环的多条第一线的第一宽度和第一间隔的截面约等于所述第一晶圆上的管芯接合环的宽度和间隔的截面。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述多条第一线形成的高度约等于所述第一晶圆上的管芯接合环的高度。
10.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一晶圆密封环的多条第一线交叉成正方形图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造